Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/337695| Заглавие документа: | Влияние золь-гель пассивации SiO2 на оптические характеристики InGaAsN/GaAs микролазеров |
| Другое заглавие: | Effect of sol-gel passivation of SiO2 on the optical characteristics of InGaAsN/GaAs microlasers / I. A. Melnichenko, T. M. Shugabaev, N. A. Fominykh, I. S. Makhov, E. I. Moiseev, V. O. Gridchin, A. E. Zhukov, N. V. Kryzhanovskaya, E. V. Lutsenko |
| Авторы: | Мельниченко, И. А. Шугабаев, Т. М. Фоминых, Н. А. Махов, И. С. Моисеев, Э. И. Гридчин, В. О. Жуков, А. Е. Крыжановская, Н. В. Луценко, Е. В. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика ЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Электроника. Радиотехника |
| Дата публикации: | 2025 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Квантовая электроника : материалы XV Междунар. науч.-техн. конф., Минск, 18–20 нояб. 2025 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: А. А. Афоненко (гл. ред.), М. М. Кугейко, А. В. Баркова. – Минск : БГУ, 2025. – С. 221-225. |
| Аннотация: | В работе исследовано влияние пассивации поверхности слоем SiO2, нанесённым методом золь-гель синтеза, на оптические характеристики GaAs мезаструктур с InGaAs/GaAs квантовыми ямами и микролазеров с активной областью из InGaAsN/GaAs квантовых ям. Показано значительное увеличение интенсивности фотолюминесценции мезаструктур, а так же снижение пороговой мощности возникновения лазерной генерации при оптической накачке, а также уменьшение пороговой плотности тока для микролазеров с электрической инжекцией после пассивации. Полученные результаты подтверждают эффективность метода золь-гель пассивации для улучшения характеристик полупроводниковых излучающих структур |
| Аннотация (на другом языке): | The study investigates the effect of surface passivation with a SiO2 layer applied by sol-gel synthesis on the optical characteristics of GaAs mesostructures with InGaAs/GaAs quantum wells and microlasers with an active region made of InGaAsN/GaAs quantum wells. A significant increase in the photoluminescence intensity of mesostructures is shown, as well as a decrease in the threshold power for laser generation during optical pumping, and a decrease in the threshold current density for electrically injected microlasers after passivation. The results confirm the effectiveness of the sol-gel passivation method for improving the characteristics of semiconductor emitting structures |
| URI документа: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/337695 |
| ISBN: | 978-985-881-861-6 |
| Финансовая поддержка: | Работа выполнена в ходе проведения исследования в рамках проекта «Международное академическое сотрудничество» НИУ ВШЭ. Оптические измерения проводились на уникальной научной установке «Комплексный оптоэлектронный стенд» НИУ ВШЭ- Санкт-Петербург. |
| Лицензия: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Располагается в коллекциях: | 2025. Квантовая электроника |
Полный текст документа:
| Файл | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|
| 221-225.pdf | 1,67 MB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.