Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/337695Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Мельниченко, И. А. | |
| dc.contributor.author | Шугабаев, Т. М. | |
| dc.contributor.author | Фоминых, Н. А. | |
| dc.contributor.author | Махов, И. С. | |
| dc.contributor.author | Моисеев, Э. И. | |
| dc.contributor.author | Гридчин, В. О. | |
| dc.contributor.author | Жуков, А. Е. | |
| dc.contributor.author | Крыжановская, Н. В. | |
| dc.contributor.author | Луценко, Е. В. | |
| dc.date.accessioned | 2025-11-26T12:42:53Z | - |
| dc.date.available | 2025-11-26T12:42:53Z | - |
| dc.date.issued | 2025 | |
| dc.identifier.citation | Квантовая электроника : материалы XV Междунар. науч.-техн. конф., Минск, 18–20 нояб. 2025 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: А. А. Афоненко (гл. ред.), М. М. Кугейко, А. В. Баркова. – Минск : БГУ, 2025. – С. 221-225. | |
| dc.identifier.isbn | 978-985-881-861-6 | |
| dc.identifier.uri | https://elib.bsu.by/handle/123456789/337695 | - |
| dc.description.abstract | В работе исследовано влияние пассивации поверхности слоем SiO2, нанесённым методом золь-гель синтеза, на оптические характеристики GaAs мезаструктур с InGaAs/GaAs квантовыми ямами и микролазеров с активной областью из InGaAsN/GaAs квантовых ям. Показано значительное увеличение интенсивности фотолюминесценции мезаструктур, а так же снижение пороговой мощности возникновения лазерной генерации при оптической накачке, а также уменьшение пороговой плотности тока для микролазеров с электрической инжекцией после пассивации. Полученные результаты подтверждают эффективность метода золь-гель пассивации для улучшения характеристик полупроводниковых излучающих структур | |
| dc.description.sponsorship | Работа выполнена в ходе проведения исследования в рамках проекта «Международное академическое сотрудничество» НИУ ВШЭ. Оптические измерения проводились на уникальной научной установке «Комплексный оптоэлектронный стенд» НИУ ВШЭ- Санкт-Петербург. | |
| dc.language.iso | ru | |
| dc.publisher | Минск : БГУ | |
| dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Электроника. Радиотехника | |
| dc.title | Влияние золь-гель пассивации SiO2 на оптические характеристики InGaAsN/GaAs микролазеров | |
| dc.title.alternative | Effect of sol-gel passivation of SiO2 on the optical characteristics of InGaAsN/GaAs microlasers / I. A. Melnichenko, T. M. Shugabaev, N. A. Fominykh, I. S. Makhov, E. I. Moiseev, V. O. Gridchin, A. E. Zhukov, N. V. Kryzhanovskaya, E. V. Lutsenko | |
| dc.type | conference paper | |
| dc.description.alternative | The study investigates the effect of surface passivation with a SiO2 layer applied by sol-gel synthesis on the optical characteristics of GaAs mesostructures with InGaAs/GaAs quantum wells and microlasers with an active region made of InGaAsN/GaAs quantum wells. A significant increase in the photoluminescence intensity of mesostructures is shown, as well as a decrease in the threshold power for laser generation during optical pumping, and a decrease in the threshold current density for electrically injected microlasers after passivation. The results confirm the effectiveness of the sol-gel passivation method for improving the characteristics of semiconductor emitting structures | |
| Располагается в коллекциях: | 2025. Квантовая электроника | |
Полный текст документа:
| Файл | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|
| 221-225.pdf | 1,67 MB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.