Please use this identifier to cite or link to this item:
                
     
    https://elib.bsu.by/handle/123456789/33053| Title: | Оптические параметры SI, GE, GAAS и INSB, расплавленных импульсным лазерным нагревом | 
| Authors: | Гацкевич, Е. И. Ивлев, Г. Д. Жвавый, С. П. Шараев, Д. Н.  | 
| Keywords: | ЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Электроника. Радиотехника | 
| Issue Date: | 2002 | 
| Publisher: | АКАДЕМИЯ УПРАВЛЕНИЯ ПРИ ПРЕЗИДЕНТЕ РЕСПУБЛИКИ БЕЛАРУСЬ | 
| URI: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/33053 | 
| Appears in Collections: | 2002. Квантовая электроника | 
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.

