Logo BSU

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/33053
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorГацкевич, Е. И.-
dc.contributor.authorИвлев, Г. Д.-
dc.contributor.authorЖвавый, С. П.-
dc.contributor.authorШараев, Д. Н.-
dc.date.accessioned2013-02-19T10:39:36Z-
dc.date.available2013-02-19T10:39:36Z-
dc.date.issued2002-
dc.identifier.urihttp://elib.bsu.by/handle/123456789/33053-
dc.language.isoruru
dc.publisherАКАДЕМИЯ УПРАВЛЕНИЯ ПРИ ПРЕЗИДЕНТЕ РЕСПУБЛИКИ БЕЛАРУСЬru
dc.subjectЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Электроника. Радиотехникаru
dc.titleОптические параметры SI, GE, GAAS и INSB, расплавленных импульсным лазерным нагревомru
Располагается в коллекциях:2002. Квантовая электроника

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
46.pdf18,34 kBAdobe PDFОткрыть
Показать базовое описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.