Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/33053| Заглавие документа: | Оптические параметры SI, GE, GAAS и INSB, расплавленных импульсным лазерным нагревом |
| Авторы: | Гацкевич, Е. И. Ивлев, Г. Д. Жвавый, С. П. Шараев, Д. Н. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Электроника. Радиотехника |
| Дата публикации: | 2002 |
| Издатель: | АКАДЕМИЯ УПРАВЛЕНИЯ ПРИ ПРЕЗИДЕНТЕ РЕСПУБЛИКИ БЕЛАРУСЬ |
| URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/33053 |
| Располагается в коллекциях: | 2002. Квантовая электроника |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.