Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/329618| Title: | Получения бинарных соединений атомов фосфора и галлия в кремнии |
| Other Titles: | Obtaining binary compounds of phosphorus and gallium atoms in silicon / N.F. Zikrillayev, S.B. Isamov, F.E. Urakova, N. Norqulov, B.U. Aliyev |
| Authors: | Зикриллаев, Н. Ф. Исамов, С. Б. Уракова, Ф. Э. Норкулов, Н. Алиев, Б. У. |
| Keywords: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Issue Date: | 2025 |
| Publisher: | Минск : БГУ |
| Citation: | Материалы и структуры современной электроники : материалы XI Междунар. науч. конф., Минск, 16–18 окт. 2024 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2025. – С. 444-448. |
| Abstract: | Исследования фотоэлектрических и оптических диффузионных свойств кремния, легированного примесными атомами фосфора и галлия, показали, что их фотоэлектрические и оптические параметры сильно отличаются от исходного кремния. Результаты исследования фотоэлектрических и оптических свойств полученных образцов кремния показали, что в кремнии образуются новые элементарные ячейки и нанокластеры на основе бинарных соединений атомов фосфора и галлия, которые не нарушают кристаллическую решетку исходного кремния. Образованные бинарные соединения можно рассматривать как новый нанообъект в котором можно наблюдать размерное квантование. Исследованием установлено, что образованные бинарные соединения фосфора и галлия в кремнии приводят к расширению спектрального диапазона чувствительности к видимой области солнечного излучения, который дает возможность создания фотоприёмников в широкой спектральной области и эффективных фотоэлементов |
| Abstract (in another language): | Studies of photoelectric and optical diffusion properties of silicon doped with impurity atoms of phosphorus and gallium have shown that their photoelectric and optical parameters differ greatly from those of the original silicon. The results of the study of photoelectric and optical properties of the obtained silicon samples have shown that new elemental cells and nanoclusters based on binary compounds of phosphorus and gallium atoms are formed in silicon, which do not violate the crystal lattice of the original silicon. The formed binary compounds can be considered as a new nano-object in which dimensional quantization can be observed. The study found that the formed binary compounds of phosphorus and gallium in silicon lead to an expansion of the spectral range of sensitivity to the visible region of solar radiation, which makes it possible to create photodetectors in a wide spectral region and effective photocells |
| Description: | Нанотехнологии, наноструктуры, квантовые явления. Наноэлектроника. Приборы на квантовых эффектах |
| URI: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/329618 |
| ISBN: | 978-985-881-739-8 |
| Licence: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Appears in Collections: | 2024. Материалы и структуры современной электроники |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| 444-448.pdf | 367,37 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.