Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/329617| Title: | Автоколебательная среда на основе компенсированного кремния |
| Other Titles: | Self-oscillation medium based on compensated silicon / N. F. Zikrillaev, K. S. Ayupov, M. M. Shoabdurakhimova, A. A. Sattorov, N. Abdullaeva |
| Authors: | Зикриллаев, Н. Ф. Аюпов, К. С. Шоабдурахимова, М. М. Сатторов, А. А. Абдуллаева, Н. |
| Keywords: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Issue Date: | 2025 |
| Publisher: | Минск : БГУ |
| Citation: | Материалы и структуры современной электроники : материалы XI Междунар. науч. конф., Минск, 16–18 окт. 2024 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2025. – С. 440-444. |
| Abstract: | В данной работе приведены результаты исследования автоколебательных процессов в компенсированном кремнии, которые дали возможность обоснования физического механизма этого уникального явления и показали возможность создания твердотельных генераторов и датчиков физических величин с частотно-амплитудным выходом. Из анализа литературных данных установлено, что условия возбуждения и параметры автоколебаний тока более подробно исследовались лишь в кремнии, легированном атомами марганца и цинка, а также в полупроводниковых соединениях CdSe, CdS, InGa и в некоторых структурах. В других материалах не очень точно были определены граничные области существования этих неустойчивостей тока в зависимости от внешних факторов. Это привело к отсутствию воспроизводимых результатов и несоответствий корреляции между электрофизическими параметрами материала с параметрами автоколебаний тока (амплитуда, частота). В данной работе приведен физический механизм автоколебаний тока, который имеет согласие с полученными экспериментальными результатами не только в наших исследованиях, но также экспериментальными результатами других авторов |
| Abstract (in another language): | This paper presents the results of the study of auto-oscillation processes in compensated silicon, which gave the possibility of creating a physical mechanism of this unique phenomenon and showed the possibility of creating solid-state generators and sensors of physical quantities with frequency-amplitude output. From the analysis of literature data it was found that the conditions of excitation and parameters of current auto oscillations were investigated in more detail only in silicon doped with manganese and zinc atoms, as well as semiconductor compounds CdSe, CdS, InGa and in some structures, and in other materials the boundary regions of existence of these current instabilities depending on external factors were not very precisely determined. This has led to the lack of reproducible results and the lack of correlation between the electrophysical parameters of the material and the parameters of the current auto-oscillations (amplitude, frequency). In this paper we present the physical mechanism of current oscillations, which has a good agreement with the experimental results obtained not only in our studies, but also with the experimental results of other authors |
| Description: | Нанотехнологии, наноструктуры, квантовые явления. Наноэлектроника. Приборы на квантовых эффектах |
| URI: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/329617 |
| ISBN: | 978-985-881-739-8 |
| Licence: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Appears in Collections: | 2024. Материалы и структуры современной электроники |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| 440-444.pdf | 332,74 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.