Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/329600| Заглавие документа: | Фазово-химический состав и показатель преломления термически оксидированных пленок титана на поверхности кремния и ниобата лития |
| Другое заглавие: | Phase-chemical composition of thermally oxidized titanium layers on silicon surface / A. I. Bobrov, A. V. Nezhdanov, D. E. Nikolichev, K. V. Sidorenko, A. V. Zdoroveyshchev, A. N. Shushunov, L. M. Vinogradova |
| Авторы: | Бобров, А. И. Нежданов, А. В. Николичев, Д. Е. Сидоренко, К. В. Здоровейщев, А. В. Шушунов, А. Н. Виноградова, Л. М. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2025 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Материалы и структуры современной электроники : материалы XI Междунар. науч. конф., Минск, 16–18 окт. 2024 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2025. – С. 371-377. |
| Аннотация: | При термическом отжиге на воздухе титановые полоски толщиной ~ 200 нм, сформированные на подложках кремния или ниобата лития, полностью оксидируются, начиная с температур 500 °C и выше. Окисление титановой пленки на подложке кремния приводит к формированию слоистой структуры с разными показателями преломления: слой рутила, слой рутила с высоким показателем преломления 2,7 или соединения TixSi1-xO и слой нестехиометричного оксида кремния SiOx с широким диапазоном значений х. Бомбардировка ионами аргона слоя диоксида титана в процессе послойного анализа химического состава методами электронной спектроскопии приводит к уменьшению валентности титана. Оксидные пленки титана, сформированные при равной температуре отжига 500 °C на разных подложках кремния или ниобата лития, имеют одинаковый фазовый состав |
| Аннотация (на другом языке): | During thermal annealing in air, titanium strips of a ~ 200 nm thickness formed on silicon or lithium niobate substrates are completely oxidized starting at temperatures of 500 °С and higher. Oxidation of titanium film on silicon substrate leads to the formation of a layered structure with different refractive indices: a layer of rutile, a layer of rutile with high refractive index of 2.7 or TixSi1-xO compound and a layer of non-stoichiometric silicon oxide SiOx with wide range of x. Bombardment of titanium dioxide layer by argon ions in the process of layer-by-layer analysis of chemical composition by electron spectroscopy methods leads to a decrease in the valence of titanium. Titanium oxide films formed at equal annealing temperature 500 °C on different silicon or lithium niobate substrates have the same phase composition |
| Доп. сведения: | Нанотехнологии, наноструктуры, квантовые явления. Наноэлектроника. Приборы на квантовых эффектах |
| URI документа: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/329600 |
| ISBN: | 978-985-881-739-8 |
| Финансовая поддержка: | Работа выполнена при поддержке Министерства науки и высшего образования Российской Федерации, проект № FSWR-2022-0007. |
| Лицензия: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Располагается в коллекциях: | 2024. Материалы и структуры современной электроники |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 371-377.pdf | 479 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.