Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/329580| Заглавие документа: | Формирование цепочек NV-центров облучением алмазов высокоэнергетическими ионами ксенона |
| Другое заглавие: | Chains of NV-centers in diamonds formed by irradiation with high-energy xenon ions / N. M. Kazuchits, V. N. Kazuchits, O. V. Korolik, M. S. Rusetsky, V. A. Skuratov, А. М. Зайцев |
| Авторы: | Казючиц, Н. М. Казючиц, В. Н. Королик, О. В. Русецкий, М. С. Скуратов, В. А. Зайцев, А. М. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2025 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Материалы и структуры современной электроники : материалы XI Междунар. науч. конф., Минск, 16–18 окт. 2024 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2025. – С. 282-288. |
| Аннотация: | Треки высокоэнергетических ионов Xe в алмазах были визуализированы с помощью изображений фотолюминесценции NV-центров облученной поверхности и поверхности поперечного сечения образцов. Активация люминесценции NV-центров достигалась отжигом облученных образцов при температуре 850 °C. Треки ионов на облученной поверхности были визуализированы в виде субмикронных точек яркой люминесценции. Поперечное сечение выявило тонкие прерывистые цепочки NV-центров, простирающиеся от облученной поверхности и постепенно трансформирующиеся в более широкие вытянутые области непрерывной люминесценции по мере приближения к проективному пробегу ионов. Поверхностная плотность NV-центров хорошо соответствовала флюенсу ионного облучения |
| Аннотация (на другом языке): | Tracks produced in diamond by high-energy Xe ions were visualized by NV-center photoluminescence images taken from the irradiated surface and the cross-sectional surface cut along the direction of the ion irradiation. The activation of the NV-center luminescence was achieved by post irradiation annealing at temperature 850 °C. Ion tracks were seen on the irradiated surface as submicron dots of bright luminescence. The cross-sectional view revealed thin discontinuous chains of NV-center dots extending from the irradiated surface and gradually transforming into broader elongated areas of continuous luminescence as it approached the depth of the ion penetration. The area density of the NV-center dots well corresponded to the ion irradiation fluence |
| Доп. сведения: | Дефектно-примесная инженерия. Радиационные эффекты в полупроводниках |
| URI документа: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/329580 |
| ISBN: | 978-985-881-739-8 |
| Лицензия: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Располагается в коллекциях: | 2024. Материалы и структуры современной электроники |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 282-288.pdf | 490,19 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.