Logo BSU

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/329577
Заглавие документа: Магнитные свойства кремния с примесными атомами марганца в критически низких температурах
Другое заглавие: Magnetic properties of silicon with impurity manganese atoms at critical temperatures critically low temperatures / N. F. Zikrillayev, T. B. Ismailov, U. X. Kurbanova, Z. T. Kenjayev, B. K. Ismaylov, X. U. Kamalov
Авторы: Зикриллаев, Н. Ф.
Исмаилов, Т. Б.
Курбанова, У. Х.
Кенжаев, З. Т.
Исмайлов, Б. К.
Камалов, Х. У.
Тема: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Дата публикации: 2025
Издатель: Минск : БГУ
Библиографическое описание источника: Материалы и структуры современной электроники : материалы XI Междунар. науч. конф., Минск, 16–18 окт. 2024 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2025. – С. 267-271.
Аннотация: В данной работе ферромагнитные свойства кремния изучались путем введения атомов марганца в кристаллическую решетку методом низкотемпературной диффузии. Результаты исследований показали, что за счет введения атомов бора и марганца (Si<B, Mn>) в кристаллическую решетку кремния можно получить новый ферромагнитный материал с принципиально другими фундаментальными параметрами. В данной работе были изучены ферромагнитные свойства нанокластеров, образующихся в кристаллической решетке кремния при низкой температуре (Т = 1.8 К). Результат исследования показал, что кремний обладает ферромагнитными свойствами при этой температуре. Показано, что ферромагнитные свойства полученного нового магнитного материала на основе кремния зависят от типа проводимости кремния и связаны с проводимостью p-типа. Результаты исследования термостабильности нанокластеров, состоящих из внедренных атомов бора и марганца, образующихся в кристаллической решетке кремния, показывают, что нанокластеры термостабильны (t = 5 часов, T = 400 К). Если нанокластеры не появляются во входных атомах бора и марганца, образующихся в кристаллической решетке кремния – он не термостабилен. Теоретически расчеты показывают, что ферромагнитные свойства нанокластеров, образующихся в кристаллической решетке кремния, должны существовать даже при комнатной температуре (T = 300 K)
Аннотация (на другом языке): In this research work, the ferromagnetic properties of silicon were studied by introducing manganese atoms into the crystal lattice by low-temperature diffusion. The results showed that by introducing B and Mn atoms (Si<B, Mn>) into the silicon crystal lattice, a new ferromagnetic material with fundamentally different fundamental parameters can be obtained. In this work, the ferromagnetic properties of nanoclusters formed in the silicon crystal lattice at low temperature (T = 1.8 K) were studied and the result of the study showed that silicon has ferromagnetic properties at this temperature. It is shown that the ferromagnetic properties of the obtained new silicon-based magnetic material depend on the conduction type of silicon and are related to the p-type conductivity. The results of the study of thermostability of nanoclusters consisting of input boron and manganese atoms formed in the silicon crystal lattice show that nanoclusters are thermostable (t = 5 hours, T = 400 K). If nanoclusters do not appear in the input atoms of boron and manganese formed in the silicon crystal lattice – it is not thermostable. Theoretically, calculations show that ferromagnetic properties of nanoclusters formed in the silicon crystal lattice should exist even at room temperature (T = 300 K)
Доп. сведения: Дефектно-примесная инженерия. Радиационные эффекты в полупроводниках
URI документа: https://elib.bsu.by/handle/123456789/329577
ISBN: 978-985-881-739-8
Лицензия: info:eu-repo/semantics/openAccess
Располагается в коллекциях:2024. Материалы и структуры современной электроники

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
267-271.pdf416,33 kBAdobe PDFОткрыть
Показать полное описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.