Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/329572| Заглавие документа: | Поверхностные состояния в облученных ионами гелия с энергией 5 МэВ структурах Al/SiO2/n-Si |
| Другое заглавие: | Surface states in structures Al/SiO2/n-Si irradiated with 5 MeV helium ions / N. I. Gorbachuk, N. A. Poklonsky, K. A. Ermakova, S. V. Shpakovski |
| Авторы: | Горбачук, Н. И. Поклонский, Н. А. Ермакова, Е. А. Шпаковский, С. В. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2025 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Материалы и структуры современной электроники : материалы XI Междунар. науч. конф., Минск, 16–18 окт. 2024 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2025. – С. 242-246. |
| Аннотация: | Изучались структуры Al/SiO2/n-Si. При комнатной температуре структуры облучались ионами гелия с энергией 5 МэВ. Флюенс облучения варьировался от 10 10 до 10 13 см -2. Показано, что для облученных структур функции плотности поверхностных состояний с эффективными временами перезарядки ≈160 мкс и ≈0,16 мкс отличаются друг от друга. Установлено, что при облучении ионами гелия флюенсом 10 11 см -2 на поверхностных состояниях, эффективные времена перезарядки которых лежат в интервале 160 мкс < τ < 0,16 мкс, может накапливаться заряд ≈ 70 мкКл/см2 |
| Аннотация (на другом языке): | The Al/SiO2/n-Si structures were studied. At room temperature the structures were irradiated with helium ions with an energy of 5 MeV. The irradiation fluence varied from 10 10 to 10 13 cm -2. It was shown that for the irradiated structures the functions of the density of surface states with effective recharge times of ≈ 160 μs and ≈ 0.16 μs differ from each other. It was found that when irradiated with helium ions with a fluence of 10 11 cm -2, a charge of ≈ 70 μC/cm2 can accumulate on surface states with effective recharge times in the range of 160 μs < τ < 0.16 μs |
| Доп. сведения: | Дефектно-примесная инженерия. Радиационные эффекты в полупроводниках |
| URI документа: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/329572 |
| ISBN: | 978-985-881-739-8 |
| Лицензия: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Располагается в коллекциях: | 2024. Материалы и структуры современной электроники |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 242-246.pdf | 375,03 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.