Поверхностные состояния в облученных ионами гелия с энергией 5 МэВ структурах Al/SiO2/n-Si

Горбачук, Н. И.; Поклонский, Н. А.; Ермакова, Е. А.; Шпаковский, С. В.

Даты публикации Авторы Заглавия Темы

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/329572

Полная запись метаданных

Поле DC	Значение	Язык
dc.contributor.author	Горбачук, Н. И.
dc.contributor.author	Поклонский, Н. А.
dc.contributor.author	Ермакова, Е. А.
dc.contributor.author	Шпаковский, С. В.
dc.date.accessioned	2025-05-22T14:49:11Z	-
dc.date.available	2025-05-22T14:49:11Z	-
dc.date.issued	2025
dc.identifier.citation	Материалы и структуры современной электроники : материалы XI Междунар. науч. конф., Минск, 16–18 окт. 2024 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2025. – С. 242-246.
dc.identifier.isbn	978-985-881-739-8
dc.identifier.uri	https://elib.bsu.by/handle/123456789/329572	-
dc.description	Дефектно-примесная инженерия. Радиационные эффекты в полупроводниках
dc.description.abstract	Изучались структуры Al/SiO2/n-Si. При комнатной температуре структуры облучались ионами гелия с энергией 5 МэВ. Флюенс облучения варьировался от 10 10 до 10 13 см -2. Показано, что для облученных структур функции плотности поверхностных состояний с эффективными временами перезарядки ≈160 мкс и ≈0,16 мкс отличаются друг от друга. Установлено, что при облучении ионами гелия флюенсом 10 11 см -2 на поверхностных состояниях, эффективные времена перезарядки которых лежат в интервале 160 мкс < τ < 0,16 мкс, может накапливаться заряд ≈ 70 мкКл/см2
dc.language.iso	ru
dc.publisher	Минск : БГУ
dc.rights	info:eu-repo/semantics/openAccess
dc.subject	ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
dc.title	Поверхностные состояния в облученных ионами гелия с энергией 5 МэВ структурах Al/SiO2/n-Si
dc.title.alternative	Surface states in structures Al/SiO2/n-Si irradiated with 5 MeV helium ions / N. I. Gorbachuk, N. A. Poklonsky, K. A. Ermakova, S. V. Shpakovski
dc.type	conference paper
dc.description.alternative	The Al/SiO2/n-Si structures were studied. At room temperature the structures were irradiated with helium ions with an energy of 5 MeV. The irradiation fluence varied from 10 10 to 10 13 cm -2. It was shown that for the irradiated structures the functions of the density of surface states with effective recharge times of ≈ 160 μs and ≈ 0.16 μs differ from each other. It was found that when irradiated with helium ions with a fluence of 10 11 cm -2, a charge of ≈ 70 μC/cm2 can accumulate on surface states with effective recharge times in the range of 160 μs < τ < 0.16 μs
Располагается в коллекциях:	2024. Материалы и структуры современной электроники

Полный текст документа:

Файл	Описание	Размер	Формат
242-246.pdf		375,03 kB	Adobe PDF	Открыть

Показать базовое описание документа Статистика Google Scholar

Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.