Logo BSU

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/329562
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorТурсунов, М.
dc.contributor.authorДехканов, А.
dc.contributor.authorАбдурахманов, Г.
dc.contributor.authorВохидова, Г.
dc.contributor.authorКсеневич, В.
dc.contributor.authorТашмухамедова, Д.
dc.date.accessioned2025-05-22T14:49:09Z-
dc.date.available2025-05-22T14:49:09Z-
dc.date.issued2025
dc.identifier.citationМатериалы и структуры современной электроники : материалы XI Междунар. науч. конф., Минск, 16–18 окт. 2024 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2025. – С. 199-205.
dc.identifier.isbn978-985-881-739-8
dc.identifier.urihttps://elib.bsu.by/handle/123456789/329562-
dc.descriptionСвойства, диагностика и применение полупроводниковых материалов и структур на их основе
dc.description.abstractЭкспериментально показано, что в толстопленочном резисторе чувствительность к механической деформации у термоЭДС в ~ 20–120 раз выше, чем у электропроводности. При этом влияние температуры окружающей среды на термоЭДС незначительно и может быть доведено почти до уровня, характерного для металлических тензодатчиков
dc.description.sponsorshipРабота выполнена в рамках совместного белорусско-узбекского проекта, финансируемого МИРРУ (№ IL-482109667) и БРФФИ (№ Ф22УЗБ-056) с узбекской и белорусской стороны соответственно, а также в рамках задания ГПНИ 3.02.1 (НИР 4) «Конвергенция-2025».
dc.language.isoru
dc.publisherМинск : БГУ
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccess
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
dc.titleЧувствительность термоЭДС к деформации в толстопленочных резисторах
dc.title.alternativeStrain sensitivity of thermoEMF in thick-film resistors / M. Tursunov, A. Dekhkonov, G. Abdurakhmanov, G. Vokhidova, V. Ksenevich, D. Tashmukhamedova
dc.typeconference paper
dc.description.alternativeIt has been experimentally shown that the strain sensitivity of thermoEMF of the thick-film resistor is ~ 20–120 times higher than the strain sensitivity of the electrical conductivity. Influence of ambient temperature on thermoEMF can be as small as that of metal strain gauges
Располагается в коллекциях:2024. Материалы и структуры современной электроники

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
199-205.pdf417,94 kBAdobe PDFОткрыть
Показать базовое описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.