Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/329561| Заглавие документа: | Пассивация активных структур интегральных схем на арсениде галлия c применением покрытий из собственных оксидов |
| Другое заглавие: | Passivation of active structures of integrated circuits on gallium arsenide using coatings from native oxides / E. V. Telesh |
| Авторы: | Телеш, Е. В. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2025 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Материалы и структуры современной электроники : материалы XI Междунар. науч. конф., Минск, 16–18 окт. 2024 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2025. – С. 195-199. |
| Аннотация: | Изучено влияние процесса нанесения пассивирующих слоев из собственного оксида арсенида галлия, полученных реактивным ионно-лучевым распылением, на параметры полевых транзисторов с барьером Шоттки. Формирование вторичного плазменного разряда в пространстве «мишень-подложка» сопровождается ионным облучением подложки, что вызывает радиационные повреждения поверхности GaAs и приводит к увеличению тока стока на 9 – 10 %. Крутизна транзисторов составила ≈ 4,4 мА/В и практически не изменялась после пассивации. Ток утечки затвора при U обр. = 10 В вырос со 100 до 500 нА. Увеличение токов стока и утечки свидетельствует о донорном характере радиационных дефектов. Использование бомбардировки растущей пленки собственного оксида ионами аргона с энергией около 1000 эВ и плотностью тока 50 мкА/см 2 привело к увеличению напряжения насыщения тока стока и уменьшение крутизны почти в два раза |
| Аннотация (на другом языке): | Тhe effect of deposition of passivation layers of native gallium arsenide oxide obtained by reactive ion-beam sputtering on the parameters of field-effect transistors with a Schottky barrier was studied. Formation of a secondary plasma discharge in the target-substrate space is accompanied by ion irradiation of the substrate, which causes radiation damage to the GaAs surface and leads to an increase in the drain current by 9 – 10 %. The transistor slope was ≈ 4.4 mA/V and remained virtually unchanged after passivation. The gate leakage current at U rev = 10 V increased from 100 to 500 nA. An increase in the drain and leakage currents indicates a donor nature of radiation defects. The use of bombardment of the growing native oxide film with argon ions with an energy of about 1000 eV and a current density of 50 μA/cm 2 led to an increase in the saturation voltage of the drain current and a decrease in slope by almost two times |
| Доп. сведения: | Свойства, диагностика и применение полупроводниковых материалов и структур на их основе |
| URI документа: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/329561 |
| ISBN: | 978-985-881-739-8 |
| Лицензия: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Располагается в коллекциях: | 2024. Материалы и структуры современной электроники |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 195-199.pdf | 444,34 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.