Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/329561Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Телеш, Е. В. | |
| dc.date.accessioned | 2025-05-22T14:49:09Z | - |
| dc.date.available | 2025-05-22T14:49:09Z | - |
| dc.date.issued | 2025 | |
| dc.identifier.citation | Материалы и структуры современной электроники : материалы XI Междунар. науч. конф., Минск, 16–18 окт. 2024 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2025. – С. 195-199. | |
| dc.identifier.isbn | 978-985-881-739-8 | |
| dc.identifier.uri | https://elib.bsu.by/handle/123456789/329561 | - |
| dc.description | Свойства, диагностика и применение полупроводниковых материалов и структур на их основе | |
| dc.description.abstract | Изучено влияние процесса нанесения пассивирующих слоев из собственного оксида арсенида галлия, полученных реактивным ионно-лучевым распылением, на параметры полевых транзисторов с барьером Шоттки. Формирование вторичного плазменного разряда в пространстве «мишень-подложка» сопровождается ионным облучением подложки, что вызывает радиационные повреждения поверхности GaAs и приводит к увеличению тока стока на 9 – 10 %. Крутизна транзисторов составила ≈ 4,4 мА/В и практически не изменялась после пассивации. Ток утечки затвора при U обр. = 10 В вырос со 100 до 500 нА. Увеличение токов стока и утечки свидетельствует о донорном характере радиационных дефектов. Использование бомбардировки растущей пленки собственного оксида ионами аргона с энергией около 1000 эВ и плотностью тока 50 мкА/см 2 привело к увеличению напряжения насыщения тока стока и уменьшение крутизны почти в два раза | |
| dc.language.iso | ru | |
| dc.publisher | Минск : БГУ | |
| dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | |
| dc.title | Пассивация активных структур интегральных схем на арсениде галлия c применением покрытий из собственных оксидов | |
| dc.title.alternative | Passivation of active structures of integrated circuits on gallium arsenide using coatings from native oxides / E. V. Telesh | |
| dc.type | conference paper | |
| dc.description.alternative | Тhe effect of deposition of passivation layers of native gallium arsenide oxide obtained by reactive ion-beam sputtering on the parameters of field-effect transistors with a Schottky barrier was studied. Formation of a secondary plasma discharge in the target-substrate space is accompanied by ion irradiation of the substrate, which causes radiation damage to the GaAs surface and leads to an increase in the drain current by 9 – 10 %. The transistor slope was ≈ 4.4 mA/V and remained virtually unchanged after passivation. The gate leakage current at U rev = 10 V increased from 100 to 500 nA. An increase in the drain and leakage currents indicates a donor nature of radiation defects. The use of bombardment of the growing native oxide film with argon ions with an energy of about 1000 eV and a current density of 50 μA/cm 2 led to an increase in the saturation voltage of the drain current and a decrease in slope by almost two times | |
| Располагается в коллекциях: | 2024. Материалы и структуры современной электроники | |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 195-199.pdf | 444,34 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.