Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/329553
Заглавие документа: | Особенности использования люминесценции NV центров в сцинтилляторах на основе алмаза |
Другое заглавие: | Features of using luminescence of NV centers in diamond-based scintillators / M. S. Rusetsky, N. M. Kazuchits, V. N. Kazuchits, A. S. Lashenko |
Авторы: | Русецкий, М. С. Казючиц, Н. М. Казючиц, В. Н. Ляшенко, А. С. |
Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
Дата публикации: | 2025 |
Издатель: | Минск : БГУ |
Библиографическое описание источника: | Материалы и структуры современной электроники : материалы XI Междунар. науч. конф., Минск, 16–18 окт. 2024 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2025. – С. 160-164. |
Аннотация: | Проведено сравнительное исследование светового выхода от сцинтилляторов на основе монокристаллов синтетического НРНТ алмаза, содержащих одновременно NV0 и NV − центры люминесценции. Спектры ионо- и фотолюминесценции таких образцов имели близкую структуру. Доминирование NV − центров приводило к поглощению люминесценции NV0 центров и снижению светового выхода сцинтилляторов |
Аннотация (на другом языке): | A comparative study of the light output from scintillators based on single crystals of synthetic HPHT diamond containing both NV0 and NV − luminescence centers was carried out. It was shown that the structure of the ionoluminescence spectra is close to the structure of the photoluminescence spectra. It was found that at a high concentration of the NV − center, an intense absorption band is formed, coinciding with the position of the maximum of the NV0 center luminescence, which leads to a significant decrease in the light output of the scintillator |
Доп. сведения: | Свойства, диагностика и применение полупроводниковых материалов и структур на их основе |
URI документа: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/329553 |
ISBN: | 978-985-881-739-8 |
Лицензия: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
Располагается в коллекциях: | 2024. Материалы и структуры современной электроники |
Полный текст документа:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
160-164.pdf | 405,23 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.