Спин-циклотронный резонанс электронов в антимониде индия при температуре жидкого гелия

Abstract

Впервые предложена количественная интерпретация известных экспериментальных результатов измерений магнитного резонанса в легированных теллуром кристаллах антимонида индия n-типа с концентрацией электронов c-зоны от 6·10 15 до 5·10 18 см–3 при резонансном значении величины индукции магнитного поля от 0.17 до 1.6 Тл на частоте 10 МГц для температуры жидкого гелия (T = 4.2 К). Расчетным путем показано, что наблюдаемый резонанс обусловлен поглощением квантов энергии радиочастотного (10 МГц) излучения, приводящим к переходу электрона c-зоны между уровнями Ландау с переворотом его спина. Число поглощенных квантов при этом увеличивается от 3.9·10 4 до 1.6·10 5 при увеличении концентрации электронов в c-зоне