Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/329545| Заглавие документа: | Высоковольтные генераторы наносекундных импульсов на основе каскадного включения лавинных транзисторов |
| Другое заглавие: | High-voltage generators of nanosecond pulses based on the cascade including of avalanche transistors / P. V. Molchanov, A. S. Lobko |
| Авторы: | Молчанов, П. В. Лобко, А. С. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2025 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Материалы и структуры современной электроники : материалы XI Междунар. науч. конф., Минск, 16–18 окт. 2024 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2025. – С. 124-129. |
| Аннотация: | Применение транзисторов в лавинном режиме работы в конструкциях высоковольтных генераторов, разрабатываемых в рамках высоковольтной электроники, позволяет упрощать создание наносекундных импульсных генераторов и разрабатывать уникальные импульсные сверхширокополосные (СШП) устройства, работающие в периодическом режиме. В данной работе представлены результаты моделирования схем одно-, четырех- и восьмиканального включения каскадов лавинных транзисторов. В результате моделирования установлен и продемонстрирован физический эффект последовательного двойного лавинного пробоя транзистора, на который подается импульс управления – запуска. Наличие эффекта вторичного лавинного пробоя в цепочке последовательно соединенных транзисторов приводит к дополнительному обострению части фронта импульса на нагрузке при переключении всего каскада лавинных транзисторов. По схеме высоковольтного генератора Аркадьева-Маркса разработаны и испытаны компактные автономные генераторы наносекундных импульсов: амплитудой до 1150 В и фронтом нарастания амплитуды сигнала до 2.5 нс. Генераторы выполнены по схеме каскадного включения серийных транзисторов КТ3107 в импульсно-периодическом режиме с частотой повторения до 100 кГц |
| Аннотация (на другом языке): | The applications of transistors in the avalanche mode in the designs of high-voltage generators developed within the framework of high-current electronics allows to simplify the development of nanosecond pulse generators and developing ultra-wideband devices operating in the periodic mode. This publication presents the results of modeling the circuits of single-, four- and eight-channel inclusion of avalanche transistor cascades. As a result of modeling, the physical effect of a sequential double avalanche breakdown of a transistor to which a control-start pulse applied is established and demonstrated. The presence of the effect of a secondary avalanche breakdown in a chain of series-connected transistors leads to an additional sharpening of a part of the pulse front on the load when switching the entire cascade of avalanche transistors. On the basis of high-voltage Marx generator circuit the compact generators of UWB pulses were developed and tested with an amplitude of up to 1150 V, a rise time of up to 2.5 ns and a repetition rate of up to 100 kHz |
| Доп. сведения: | Свойства, диагностика и применение полупроводниковых материалов и структур на их основе |
| URI документа: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/329545 |
| ISBN: | 978-985-881-739-8 |
| Лицензия: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Располагается в коллекциях: | 2024. Материалы и структуры современной электроники |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 124-129.pdf | 418,63 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.