Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/329544Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Михалкович, О. М. | |
| dc.contributor.author | Барайшук, С. М. | |
| dc.contributor.author | Ткаченко, Т. М. | |
| dc.date.accessioned | 2025-05-22T14:49:06Z | - |
| dc.date.available | 2025-05-22T14:49:06Z | - |
| dc.date.issued | 2025 | |
| dc.identifier.citation | Материалы и структуры современной электроники : материалы XI Междунар. науч. конф., Минск, 16–18 окт. 2024 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2025. – С. 121-123. | |
| dc.identifier.isbn | 978-985-881-739-8 | |
| dc.identifier.uri | https://elib.bsu.by/handle/123456789/329544 | - |
| dc.description | Свойства, диагностика и применение полупроводниковых материалов и структур на их основе | |
| dc.description.abstract | Проведены исследования композиционного состава тонких пленок сформированных, методом катодного распыления W в условиях ионного ассистирования на Si. Ускоряющий потенциал ассистирующих ионов W составлял 7, 15 и 20 кВ, время экспонирования – 1 час. Использовался метод Резерфордовского обратного рассеяния ионов He + с энергией 1,45 МэВ (∆E = 15 кэВ) и геометрией рассеяния θ1 = 0°, θ2 = 70°, θ3 = 110°, и компьютерное моделирование экспериментальных спектров РОР по программе RUMP. Распределение элементов в массиве пленки практически равномерное. Концентрация атомов W, Si, C, O, H в пленке составляет в среднем 12, 6, 48, 29, 5 ат.% соответственно | |
| dc.description.sponsorship | Работа выполнена при финансовой поддержке Министерства образования Республики Беларусь № ГР 20211394. | |
| dc.language.iso | ru | |
| dc.publisher | Минск : БГУ | |
| dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | |
| dc.title | Композиционный состав структуры вольфрамовая пленка/кремний, сформированной катодно-вакуумным распылением | |
| dc.title.alternative | Composition of tungsten film/silicon structure formed by cathode-vacuum sputtering / O. M. Mikhalkovich, S. M. Baraishuk, T. M. Tkachenko | |
| dc.type | conference paper | |
| dc.description.alternative | The composition of thin films formed by cathode sputtering of tungsten on silicon with ion assisted were studied. The accelerating potential of the assisting ions W was 7, 15 and 20 kV, the exposure time was 1 hour. The method of Rutherford backscattering of He + ions with an energy of 1.45 MeV (∆E = 15 keV) and with scattering geometry θ1 = 0°, θ2 = 70°, θ3 =110° and the modeling program RUMP of RBS spectra we used. The distribution of elements in the film mass is almost uniform. The concentration of W, Si, C, O, H atoms in the film averages 12, 6, 48, 29, 5 at.%, respectively | |
| Располагается в коллекциях: | 2024. Материалы и структуры современной электроники | |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 121-123.pdf | 333,7 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.