Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/329510| Заглавие документа: | Потенциальные барьеры на границах нанокристаллитов в слоистом g-C3N4 |
| Другое заглавие: | The potential barriers at the boundaries of nanocrystallites in layered g-C3N4 / V. T. Pham, S. E. Maksimov, E. B. Chubenko, V. E. Borisenko |
| Авторы: | Фам, В. Т. Максимов, С. Е. Чубенко, Е. Б. Борисенко, В. Е. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2025 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Материалы и структуры современной электроники : материалы XI Междунар. науч. конф., Минск, 16–18 окт. 2024 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2025. – С. 550-555. |
| Аннотация: | На основе анализа вольтамперных характеристик структур Al/g-C3N4/Al/Si и Al/g-C3N4/Al/SiO2/Si, полученных последовательным осаждением слоев на поверхность подложек монокристаллического кремния, получена зависимость удельного сопротивления многослойной пленки графитоподобного нитрида углерода (g-C3N4) от температуры в диапазоне 25–120 °С. Рассчитана величина энергии активации, отвечающая за уменьшение сопротивления при росте температуры. Показано, что рассчитанное значение энергии активации определяет высоту потенциальных барьеров, разделяющих слои в пленке g-C3N4 и отдельные кристаллиты этого материала в пределах одного слоя. Показано, что наличие слоя SiO2 значительно увеличивает сопротивление пленки g-C3N4, что может быть обусловлено зарядовыми состояниями в окисле |
| Аннотация (на другом языке): | Based on the analysis of the current-voltage characteristics of Al/g-C3N4/Al/Si and Al/g-C3N4/Al/SiO2/Si structures fabricated by sequential deposition of the layers on the surface of monocrystalline silicon substrates, the dependence of the resistivity of the multilayer film of graphite-like carbon nitride (g-C3N4) on temperature in the range of 25–120 °C was determined. The activation energy responsible for the decrease in the resistance with increasing temperature was calculated. It was shown that the calculated activation energy determines the height of the potential barriers separating the layers in the g-C3N4 film and individual crystallites of this material within a single layer. It was also shown that the presence of a SiO2 layer significantly increases the resistance of the g-C3N4 film, which may be due to charge states in the oxide |
| Доп. сведения: | Нанотехнологии, наноструктуры, квантовые явления. Наноэлектроника. Приборы на квантовых эффектах |
| URI документа: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/329510 |
| ISBN: | 978-985-881-739-8 |
| Финансовая поддержка: | Данная работа выполнена в рамках задания 1.4 ГПНИ Республики Беларусь «Материаловедение, новые материалы и технологии». |
| Лицензия: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Располагается в коллекциях: | 2024. Материалы и структуры современной электроники |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 550-555.pdf | 395,98 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.