Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/329493| Заглавие документа: | Пленки негативного фенолформальдегидного фоторезиста на кремнии |
| Другое заглавие: | Films of negative phenol-formaldehyde photoresist on silicon / D. I. Brinkevich, V. S. Prosolovich, E. V. Grinyuk, V. V. Kolos, O. A. Zubova |
| Авторы: | Бринкевич, Д. И. Просолович, В. С. Гринюк, Е. В. Колос, В. В. Зубова, О. А. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2025 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Материалы и структуры современной электроники : материалы XI Междунар. науч. конф., Минск, 16–18 окт. 2024 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2025. – С. 42-47. |
| Аннотация: | В спектрах диффузного отражения фоторезистивных пленок на монокристаллическом кремнии полосы поглощения наблюдаются на фоне интерференционных полос, что позволяет при известной геометрической толщине пленки определить показатель преломления фоторезиста. Показано, что диффузное отражение обладает более высокой чувствительностью по сравнению однократным нарушенным полным внутренним отражением при исследовании тонких (толщина менее 2–3 мкм) пленок. Наиболее интенсивными в спектре диффузного отражения фоторезистивных пленок AZ nLOF и KMP E3502 являются полосы валентных колебаний ароматического кольца, пульсационных колебаний углеродного скелета ароматического кольца (сдвоенный максимум ~ 1595 и 1610 см−1) и полоса с максимумом ~ 1430 см–1, обусловленная колебаниями бензольного кольца, связанного с СН2-мостиком. Различия спектров диффузного отражения негативных ФР разных производителей – MicroChemicals (AZ nLOF серии 2000) и Kempur Microelectronics (KMP E3502) – связаны с различными технологиями получения фенолформальдегидной смолы и наличием в пленках остаточных растворителей |
| Аннотация (на другом языке): | In the diffuse reflection spectra of photoresistive films on monocrystalline silicon, absorption bands was observed against the background of interference bands, which makes it possible to determine the refractive index of the photoresist with a known geometric thickness of the film. It was shown that diffuse reflection has a higher sensitivity compared to a single attenuated total reflection at the study of thin (thickness less than 2–3 μm) films. The most intense bands in the diffuse reflection spectrum of AZ nLOF and KMP E3502 photoresistive films are the bands of valence vibrations of the aromatic ring, pulsed vibrations of the carbon skeleton of the aromatic ring (double maximum ~ 1595 and 1610 cm−1) and the band with a maximum ~ 1430 cm−1 caused by vibrations of the benzene ring associated with the CH2 bridge. The differences in the diffuse reflection spectra of negative photoresist from different manufacturers – MicroChemicals (AZ nLOF 2000 series) and Kempur Microelectronics (KMP E3502) – are associated with different technologies for producing phenol-formaldehyde resin and the presence of residual solvents in films |
| Доп. сведения: | Свойства, диагностика и применение полупроводниковых материалов и структур на их основе |
| URI документа: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/329493 |
| ISBN: | 978-985-881-739-8 |
| Лицензия: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Располагается в коллекциях: | 2024. Материалы и структуры современной электроники |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.