Электронная библиотека БГУ: 2012. Материалы и структуры современной электроники

Даты публикации Авторы Заглавия Темы

2012. Материалы и структуры современной электроники : [66] Главная страница коллекции Статистика

В сборнике представлены материалы V Международной научной конференции "Материалы и структуры современной электроники". Приводятся основные результаты экспериментальных и теоретических исследований в области физики полупроводников, конденсированного состояния и нанотехнологий. Сборник рассчитан на научных, педагогических и инженерно-технических работников, деятельность которых связана с созданием новых материалов и технологий, и может быть полезен аспирантам, магистрантам и студентам физических специальностей вузов.

Материалы и структуры современной электроники: сб. науч. тр. V Междунар. науч. конф., Минск,10-11 окт. 2012 г./ редкол.: В.Б. Оджаев (отв.ред) [и др.].-Минск: Изд.центр БГУ, 2012.-219с.-(Вузовская наука, промышленность, международное сотрудничество).

Ресурсы коллекции (Сортировка по Дата поступления в По убыванию порядке): 41 по 60 из 66

< предыдущий следующий >

Дата выпуска	Заглавие	Автор(ы)
2012	ВЫЗВАННОЕ МАГНИТНЫМ ВОЗДЕЙСТВИЕМ ОБОГАЩЕНИЕ ПОВЕРХНОСТИ КРЕМНИЯ МАГНИТОЧУВСТВИТЕЛЬНЫМИ ПРИМЕСЯМИ	Стебленко, Л. П.; Плющай, И. В.; Калиниченко, Д. В.; Курилюк, А. Н.; Крит, А. Н.; Трачевский, В. В.
2012	ФОРМИРОВАНИЕ БАРЬЕРОВ ШОТТКИ НА ОСНОВЕ СИЛИЦИДНОГО НИКЕЛЬ-ПЛАТИНОВОГО СПЛАВА	Солодуха, В. А.; Турцевич, А. С.; Соловьев, Я. А.; Комаров, Ф. Ф.; Мильчанин, О. В.; Ковалева, Т. Б.
2012	ПРОВОДИМОСТЬ МОНОКРИСТАЛЛОВ СИНТЕТИЧЕСКИХ АЛМАЗОВ ПРИ ПОВЫШЕННЫХ ТЕМПЕРАТУРАХ	Русецкий, М. С.; Казючиц, Н. М.; Наумчик, Е. В.
2012	РАСЧЕТ НАПРЯЖЕННО-ДЕФОРМИРОВАННОГО СОСТОЯНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ КРЕМНИЯ С УЧЕТОМ ИХ АНИЗОТРОПИИ И ПЛАСТИЧНОСТИ	Простомолотов, А. И.; Захаров, Р. А.; Просолович, В. С.; Янковский, Ю. Н.
2012	БИПОЛЯРОННАЯ ПРЫЖКОВАЯ ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТЬ ПО ДЕФЕКТАМ В САМОКОМПЕНСИРОВАННЫХ ПОЛУПРОВОДНИКАХ	Поклонский, Н. А.; Вырко, С. А.; Ковалев, А. И.
2012	РАСЧЕТ МЕТОДОМ МОНТЕ-КАРЛО ВОЛЬТАМПЕРНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК КРЕМНИЕВОГО МОП-ТРАНЗИСТОРА С ДЛИНОЙ КАНАЛА 50 НМ	Поздняков, Д. В.; Борздов, А. В.; Борздов, В. М.
2012	ОПТИМИЗАЦИЯ ХАРАКТЕРИСТИК ТРИОДА С ХОЛОДНЫМ КАТОДОМ НА ОСНОВЕ УПОРЯДОЧЕННОГО МАССИВА МЕТАЛЛИЧЕСКИХ ОДНОСТЕННЫХ УГЛЕРОДНЫХ НАНОТРУБОК	Поздняков, Д. В.; Борздов, А. В.; Борздов, В. М.
2012	МОДЕЛИРОВАНИЕ ПОВЕДЕНИЯ МАССИВОВ УНТ В ВЫСОКОЧАСТОТНОМ ЭЛЕКТРИЧЕСКОМ ПОЛЕ МЕТОДОМ МОЛЕКУЛЯРНОЙ ДИНАМИКИ	Плетежов, А. А.; Баркалин, В. В.
2012	БЕЗМАСОЧНАЯ ЛИТОГРАФИЯ В ПРОИЗВОДСТВЕ СУБМИКРОННЫХ ИЗДЕЛИЙ	Плебанович, В. И.
2012	Фотоэлектрическая нестационарная спектроскопия сегнетоэлектрика – полупроводника TLGASE2	Одринский, А. П.; Grivickas, V.; Bikbajevas, V.; Gulbinas, K.
2012	МЕТОДОЛОГИЧЕСКИЕ АСПЕКТЫ ИЗМЕРЕНИЯ УДЕЛЬНОГО КОНТАКТНОГО СОПРОТИВЛЕНИЯ TLM МЕТОДОМ С РАДИАЛЬНОЙ ГЕОМЕТРИЕЙ КОНТАКТОВ	Новицкий, С. В.
2012	ОСОБЕННОСТИ ЭЛЕКТРОННОГО ТРАНСПОРТА В ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРАХ С СОЕДИНЕНИЕМ МАТЕРИАЛОВ GaAs/AlXGa1–XAs	Мищенко, В. Н.
2012	ВЛИЯНИЕ ХИМИЧЕСКОЙ ОБРАБОТКИ ПОВЕРХНОСТИ КРЕМНИЯ НА ЗАРЯДОВЫЕ СВОЙСТВА ГРАНИЦЫ РАЗДЕЛА ОКСИД ДИСПРОЗИЯ-КРЕМНИЙ	Малышев, С. А.; Бабушкина, Н. В.; Жигулин, Д. В.; Романова, Л. И.
2012	ВЛИЯНИЕ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ПРИМЕСЕЙ НА ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ n-МОП ТРАНЗИСТОРА	Карпович, И. А.; Оджаев, В. Б.; Петлицкий, А. Н.; Просолович, В. С.; Турцевич, А. С.; Шведов, В. С.; Явид, В. Ю.; Янковский, Ю. Н.
2012	ИССЛЕДОВАНИЯ СТМ «АЛМАЗОТ» МЕТОДОМ КОМБИНАЦИОННОГО РАССЕЯНИЯ СВЕТА	Казючиц, Н. М.; Наумчик, Е. В.; Русецкий, М. С.; Мазаник, А. В.; Королик, О. В.
2012	ЛАЗЕРНАЯ СПЕКТРОСКОПИЯ ФУНКЦИОНАЛЬНЫХ ПОКРЫТИЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВ С СУБМИКРОННЫМ РАЗРЕШЕНИЕМ	Ермалицкая, К. Ф.; Воропай, Е. С.
2012	ВЛИЯНИЕ ПЛОТНОСТИ МОЩНОСТИ ЛАЗЕРНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ НА ХАРАКТЕРИСТИКИ ЗАЩИТНЫХ УГЛЕРОДНЫХ ПОКРЫТИЙ, ОСАЖДЕННЫХ ЛАЗЕРНО-ПЛАЗМЕННЫМ МЕТОДОМ	Гончаров, В. К.; Гусаков, Г. А.; Пузырев, М. В.; Баран, Л. В.; Самцов, М. П.
2012	ЭЛЕКТРОДИНАМИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА СТРУКТУР ФОТОРЕЗИСТ-КРЕМНИЙ, ИМПЛАНТИРОВАННЫХ ИОНАМИ СЕРЕБРА И СУРЬМЫ	Волобуев, В. С.; Олешкевич, А. Н.; Лукашевич, М. Г.
2012	ТЕПЛОВЫЕ ПАРАМЕТРЫ, СТРУКТУРА И ДЕФЕКТНОСТЬ ПОСАДКИ МОЩНЫХ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ	Васьков, О. В.; Кононенко, В. К.; Нисс, В. С.; Турцевич, А. С.; Рубцевич, И. И.; Соловьев, Я. А.; Керенцев, А. Ф.
2012	РЕЖИМЫ ПРИМЕНЕНИЯ КРЕМНИЕВЫХ ГЕНЕРАТОРНЫХ ДИОДОВ ДЛЯ СОЗДАНИЯ ШИРОКОПОЛОСНОГО ШУМА	Буслюк, В. В.; Ворончук, С. И.; Лешкевич, И. В.

Ресурсы коллекции (Сортировка по Дата поступления в По убыванию порядке): 41 по 60 из 66

< предыдущий следующий >

2012. Материалы и структуры современной электроники : [66] Главная страница коллекции Статистика

Просмотр