Электронная библиотека БГУ: 2012. Материалы и структуры современной электроники

Даты публикации Авторы Заглавия Темы

2012. Материалы и структуры современной электроники : [66] Главная страница коллекции Статистика

В сборнике представлены материалы V Международной научной конференции "Материалы и структуры современной электроники". Приводятся основные результаты экспериментальных и теоретических исследований в области физики полупроводников, конденсированного состояния и нанотехнологий. Сборник рассчитан на научных, педагогических и инженерно-технических работников, деятельность которых связана с созданием новых материалов и технологий, и может быть полезен аспирантам, магистрантам и студентам физических специальностей вузов.

Материалы и структуры современной электроники: сб. науч. тр. V Междунар. науч. конф., Минск,10-11 окт. 2012 г./ редкол.: В.Б. Оджаев (отв.ред) [и др.].-Минск: Изд.центр БГУ, 2012.-219с.-(Вузовская наука, промышленность, международное сотрудничество).

Ресурсы коллекции (Сортировка по Дата поступления в По убыванию порядке): 1 по 20 из 66

следующий >

Дата выпуска	Заглавие	Автор(ы)
2012	ПЕРЕХОД ДИЭЛЕКТРИК–МЕТАЛ ПРИ ИМПЛАНТАЦИИ ZnO ИОНАМИ КОБАЛЬТА	Харченко, А. А.; Шварков, С. Д.; Гумаров, А. И.; Валеев, В. Ф.; Хайбуллин, Р. И.; Лукашевич, М. Г.; Wieck, A.; Оджаев, В. Б.
2012	ИЗМЕНЕНИЕ ДИНАМИЧЕСКОГО ПОВЕДЕНИЯ ДИСЛОКАЦИЙ В КРИСТАЛЛАХ КРЕМНИЯ ПРИ ВЛИЯНИИ РЕНТГЕНОВСКОГО ОБЛУЧЕНИЯ	Стебленко, Л. П.; Крит, А. Н.; Курилюк, А. Н.; Калиниченко, Д. В.
2012	ОБРАЗОВАНИЕ СПЛОШНОГО РАДИАЦИОННО-НАРУШЕНННОГО СЛОЯ В КРЕМНИЕВЫХ ДИОДАХ, ОБЛУЧЕННЫХ ИОНАМИ ВИСМУТА С ЭНЕРГИЕЙ 700 МЭВ	Поклонский, Н. А.; Горбачук, Н. И.; Шпаковский, С. В.; Филипеня, В. А.; Во Куанг Нья; Красицкая, Ю. А.; Скуратов, В. А.; Боженков, В. В.
2012	ОТЖИГ РАДИАЦИОННЫХ ДЕФЕКТОВ В КРЕМНИЕВЫХ ДИОДАХ, ОБЛУЧЕННЫХ ИОНАМИ ВИСМУТА С ЭНЕРГИЕЙ 700 МЭВ	Поклонский, Н. А.; Горбачук, Н. И.; Шпаковский, С. В.; Филипеня, В. А.; Во Куанг Нья; Красицкая, Ю. А.; Скуратов, В. А.; Ластовский, С. Б.
2012	ЭЛЕКТРОННЫЙ СПИНОВЫЙ РЕЗОНАНС ПИРОЛИТИЧЕСКОГО ГРАФИТА, ОБЛУЧЕННОГО МОЩНЫМИ ИМПУЛЬСНЫМИ ПУЧКАМИ ИОНОВ ВОДОРОДА И УГЛЕРОДА	Поклонская, О. Н.; Вырко, С. А.; Лапчук, Н. М.; Лапчук, Т. М.; Олешкевич, А. Н.; Курбако, С. О.; Лигачев, А. Е.; Потемкин, Г. В.; Ремнев, Г. Е.
2012	ВЛИЯНИЕ ТЕРМООБРАБОТКИ И ИОННОГО ЛЕГИРОВАНИЯ НА МЕХАНИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ПЛАСТИН КРЕМНИЯ	Меженный, М. В.; Резник, В. Я.; Просолович, В. C.; Простомолотов, А. И.
2012	ВЛИЯНИЕ ТЕМПЕРАТУРЫ ОБЛУЧЕНИЯ (ТОБЛ = 320–580 К) БЫСТРЫМИ ЭЛЕКТРОНАМИ НА ЭФФЕКТИВНОСТЬ ФОРМИРОВАНИЯ РАДИАЦИОННЫХ ДЕФЕКТОВ В КРЕМНИИ	Медведева, И. Ф.; Мурин, Л. И.; Маркевич, В. П.; Коршунов, Ф. П.; Ластовский, С. Б.; Гусаков, В. Е.
2012	НОВЫЕ МЕТОДЫ ТЕХНОЛОГИЧЕСКОГО ОБЛУЧЕНИЯ ЭЛЕКТРОНАМИ КРЕМНИЕВЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР	Марченко, И. Г.; Жданович, Н. Е.
2012	ТЕРМИЧЕСКАЯ УСТОЙЧИВОСТЬ ДЕФЕКТОВ МЕЖДОУЗЕЛЬНОГО ТИПА В КРЕМНИИ И КРЕМНИЙ-ГЕРМАНИЕВЫХ СПЛАВАХ, ЛЕГИРОВАННЫХ БОРОМ	Макаренко, Л. Ф.; Коршунов, Ф. П.; Ластовский, С. Б.; Абросимов, Н. В.
2012	НЕОДНОРОДНОСТИ ЛЕГИРОВАНИЯ И ПРАВИЛО МЕЙЕРА-НЕЛДЕЛЯ ДЛЯ ПАРАМЕТРОВ РАДИАЦИОННЫХ ДЕФЕКТОВ В КРИСТАЛЛАХ КРЕМНИЯ	Макаренко, Л. Ф.; Латушко, Я. И.
2012	ОСОБЕННОСТИ ОТЖИГА КОМПЛЕКСОВ BiOi В p-Si ПРИ ИНЖЕКЦИОННО-ТЕРМИЧЕСКОЙ ОБРАБОТКЕ	Ластовский, С. Б.; Мурин, Л. И.; Гуринович, В. А.; Кульгачев, В. И.
2012	ОСОБЕННОСТИ ПРЯМОЙ ВАХ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ КРЕМНИЕВЫХ N+-P-СТРУКТУР С ТОНКОЙ БАЗОЙ, ОБЛУЧЕННЫХ ЭЛЕКТРОНАМИ	Коршунов, Ф. П.; Марченко, И. Г.; Жданович, Н. Е.
2012	ВЛИЯНИЕ АТМОСФЕРНЫХ ГАЗОВ НА ИЗМЕНЕНИЯ МИКРОТВЕРДОСТИ МОНОКРИСТАЛЛОВ КРЕМНИЯ, ИНДУЦИРУЕМЫЕ БЕТА-ОБЛУЧЕНИЕМ	Дмитриевский, А. А.; Ефремова, Н. Ю.; Кувшинова, А. А.; Ловцов, А. Р.; Гусева, Д. Г.
2012	AB INITIO ИССЛЕДОВАНИЕ ДИМЕРА КИСЛОРОДА В КРЕМНИИ: СТРУКТУРА, КОЛЕБАТЕЛЬНЫЙ СПЕКТР, ДИФФУЗИЯ	Гусаков, В. Е.
2012	МЕЖУЗЕЛЬНАЯ ДИФФУЗИЯ ИОННО-ИМПЛАНТИРОВАННОГО БОРА В КРИСТАЛЛИЧЕСКОМ КРЕМНИИ	Величко, О. И.; Ковалева, А. П.
2012	ВЛИЯНИЕ ИОНИЗИРУЮЩЕЙ РАДИАЦИИ НА СУБМИКРОННЫЕ МОП-ТРАНЗИСТОРЫ	Богатырев, Ю. В.; Коршунов, Ф. П.; Ластовский, С. Б.; Турцевич, А. С.; Шведов, С. В.; Белоус, А. И.
2012	СПЕКТРОСКОПИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ КУБИЧЕСКОГО НИТРИДА БОРА ДО И ПОСЛЕ РАДИАЦИОННОГО ВОЗДЕЙСТВИЯ	Азарко, И. И.; Игнатенко, О. В.; Карпович, И. А.; Оджаев, В. Б.; Шемпель, Н. А.; Янковский, О. Н.
2012	INTERSTITIAL BORON-INTERSTITIAL OXYGEN COMPLEX IN SILICON: LOCAL VIBRATIONAL MODE ARACTERIZATION	Murin, L. I.; Markevich, V. P.; Peaker, A. R.
2012	FABRICATION AND CHARACTERIZATION OF TIN DIOXIDE FILMS DOPED BY FERROMAGNETIC METALS	Ksenevich, V. K.; Bondarionok, E. A.; Odzhaev, V. B.; Shvarkov, S. D.; Wieck, A. D.
2012	КОМПЬЮТЕРНАЯ СИСТЕМА РЕГИСТРАЦИИ СПЕКТРОВ ЭПР	Киранов, В. С.; Адашкевич, С. В.; Лапчук, Н. М.; Стельмах, В. Ф.

Ресурсы коллекции (Сортировка по Дата поступления в По убыванию порядке): 1 по 20 из 66

следующий >

2012. Материалы и структуры современной электроники : [66] Главная страница коллекции Статистика

Просмотр