Logo BSU

Просмотр "2012. Материалы и структуры современной электроники" Заглавия

Перейти: 0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

А Б В Г Д Е Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ъ Ы Ь Э Ю Я

или введите несколько первых символов:  
Результаты 26 - 45 из 66 < предыдущий   следующий >
Предварительный просмотрДата выпускаЗаглавиеАвтор(ы)
2012МЕЖУЗЕЛЬНАЯ ДИФФУЗИЯ ИОННО-ИМПЛАНТИРОВАННОГО БОРА В КРИСТАЛЛИЧЕСКОМ КРЕМНИИВеличко, О. И.; Ковалева, А. П.
2012МЕМБРАННЫЕ СЕНСОРНЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ ИЗ НАНОПОРИСТОГО ОКСИДА АЛЮМИНИЯ ДЛЯ КОНТРОЛЯ ОТНОСИТЕЛЬНОЙ ВЛАЖНОСТИШиманович, Д. Л.; Чушкова, Д. И.; Сокол, В. А.
2012МЕТОДОЛОГИЧЕСКИЕ АСПЕКТЫ ИЗМЕРЕНИЯ УДЕЛЬНОГО КОНТАКТНОГО СОПРОТИВЛЕНИЯ TLM МЕТОДОМ С РАДИАЛЬНОЙ ГЕОМЕТРИЕЙ КОНТАКТОВНовицкий, С. В.
2012МИКРОТВЕРДОСТЬ МОНОКРИСТАЛЛОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВБринкевич, Д. И.; Вабищевич, Н. В.; Вабищевич, С. А.; Просолович, В. С.; Янковский, Ю. Н.
2012МОДЕЛИРОВАНИЕ И ОПРЕДЕЛЕНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК МНОГОСЛОЙНЫХ СТРУКТУР, ПОЛУЧЕННЫХ ИМПЛАНТАЦИЕЙ ИОНОВ МЕТАЛЛОВ В ПОЛИМЕРНЫЕ ПЛЕНКИХарченко, А. А.; Бумай, Ю. А.; Долгих, Н. И.; Лукашевич, М. Г.
2012МОДЕЛИРОВАНИЕ ПОВЕДЕНИЯ МАССИВОВ УНТ В ВЫСОКОЧАСТОТНОМ ЭЛЕКТРИЧЕСКОМ ПОЛЕ МЕТОДОМ МОЛЕКУЛЯРНОЙ ДИНАМИКИПлетежов, А. А.; Баркалин, В. В.
2012МОДЕЛИРОВАНИЕ ТЕПЛОПРОВОДНОСТИ В НАНОРАЗМЕРНЫХ СТРУКТУРАХ МЕТОДОМ МОЛЕКУЛЯРНОЙ ДИНАМИКИБелько, В. И.; Гусаков, В. Е.; Дорожкин, Н. Н.
2012МОДЕЛИРОВАНИЕ ХИМИЧЕСКОГО РАСТВОРЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ МЕТОДОМ МОНТЕ-КАРЛОЮхневич, А. В.; Майер, И. А.; Усенко, А. Е.; Конаков, А. О.
2012МОДИФИКАЦИЯ ВЫСОТЫ БАРЬЕРОВ Mo-n-Si ДИОДОВ ШОТТКИ ПОСРЕДСТВОМ ИМПЛАНТАЦИИ ИОНОВ ВОДОРОДАПокотило, Ю. М.; Петух, А. Н.; Гиро, А. В.; Дышлевич, Ю. А.; Дзичковский, О. А.; Камышан, А. С.
2012НАНОТВЕРДОСТЬ ПЛЕНОК И ДИФФУЗИЯ АТОМОВ Ti И Co В КРЕМНИИ, МОДИФИЦИРОВАННОМ ИОННО-АССИСТИРОВАННЫМ ОСАЖДЕНИЕМ ПОКРЫТИЙ В СОЧЕТАНИИ С ОБЛУЧЕНИЕМ ИОНАМИ XeМихалкович, О. М.; Ташлыков, И. С.; Барайшук, С. М.
2012НЕЛИНЕЙНЫЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА МАССИВОВ ОДНОСЛОЙНЫХ УГЛЕРОДНЫХ НАНОТРУБОККсеневич, В. К.; Веселова, Т. М.; Шуба, М. В.; Поддубская, О. Г.; Кужир, П. П.
2012НЕОДНОРОДНОСТИ ЛЕГИРОВАНИЯ И ПРАВИЛО МЕЙЕРА-НЕЛДЕЛЯ ДЛЯ ПАРАМЕТРОВ РАДИАЦИОННЫХ ДЕФЕКТОВ В КРИСТАЛЛАХ КРЕМНИЯМакаренко, Л. Ф.; Латушко, Я. И.
2012НОВЫЕ МЕТОДЫ ТЕХНОЛОГИЧЕСКОГО ОБЛУЧЕНИЯ ЭЛЕКТРОНАМИ КРЕМНИЕВЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУРМарченко, И. Г.; Жданович, Н. Е.
2012О КОРРЕЛЯЦИИ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ И РАДИОСПЕКТРОСКОПИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ КАМЕННЫХ УГЛЕЙАдашкевич, Сергей Владимирович; Лапчук, Наталья Михайловна; Лапчук, Татьяна Михайловна; Олешкевич, Анна Николаевна; Стельмах, Вячеслав Фомич; Фан Суан Тоан; Шилагарди, Г.
2012ОБРАЗОВАНИЕ СПЛОШНОГО РАДИАЦИОННО-НАРУШЕНННОГО СЛОЯ В КРЕМНИЕВЫХ ДИОДАХ, ОБЛУЧЕННЫХ ИОНАМИ ВИСМУТА С ЭНЕРГИЕЙ 700 МЭВПоклонский, Н. А.; Горбачук, Н. И.; Шпаковский, С. В.; Филипеня, В. А.; Во Куанг Нья; Красицкая, Ю. А.; Скуратов, В. А.; Боженков, В. В.
2012ОПТИМИЗАЦИЯ ХАРАКТЕРИСТИК ТРИОДА С ХОЛОДНЫМ КАТОДОМ НА ОСНОВЕ УПОРЯДОЧЕННОГО МАССИВА МЕТАЛЛИЧЕСКИХ ОДНОСТЕННЫХ УГЛЕРОДНЫХ НАНОТРУБОКПоздняков, Д. В.; Борздов, А. В.; Борздов, В. М.
2012ОСОБЕННОСТИ ОТЖИГА КОМПЛЕКСОВ BiOi В p-Si ПРИ ИНЖЕКЦИОННО-ТЕРМИЧЕСКОЙ ОБРАБОТКЕЛастовский, С. Б.; Мурин, Л. И.; Гуринович, В. А.; Кульгачев, В. И.
2012ОСОБЕННОСТИ ПРЯМОЙ ВАХ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ КРЕМНИЕВЫХ N+-P-СТРУКТУР С ТОНКОЙ БАЗОЙ, ОБЛУЧЕННЫХ ЭЛЕКТРОНАМИКоршунов, Ф. П.; Марченко, И. Г.; Жданович, Н. Е.
2012ОСОБЕННОСТИ ЧАСТОТНОЙ ХАРАКТЕРИСТИКИ ГЕНЕРАЦИОННО-РЕКОМБИНАЦИОННОГО ШУМА В ФОТОДЕТЕКТОРАХ С МНОГОЗАРЯДНЫМИ ПРИМЕСЯМИГусев, О. К.; Шадурская, Л. И.; Яржембицкая, Н. В.
2012ОСОБЕННОСТИ ЭЛЕКТРОННОГО ТРАНСПОРТА В ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРАХ С СОЕДИНЕНИЕМ МАТЕРИАЛОВ GaAs/AlXGa1–XAsМищенко, В. Н.