Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/321713| Заглавие документа: | Оптические и электрические свойства пленок Sb 2 (S x Se 1–x ) 3 для солнечных элементов |
| Авторы: | Тиванов, М. С. Разыков, Т. М. Кучкаров, К. М. Ляшенко, Л. С. Воропай, Е. С. Утамуродова, Ш. Б. Исаков, Д. З. Махмудов, М. А. Олимов, А. Н. Музафарова, С. А. Байко, Д. С. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2024 |
| Библиографическое описание источника: | Журнал прикладной спектроскопии Т. 91, № 6, c 830-836 |
| Аннотация: | Методом вакуумного термического испарения получены пленки Sb 2 (S x Se 1–x ) 3 из порошков бинар- ных соединений Sb 2 S 3 и Sb 2 Se 3 при температуре подложки 300 °C. Исследовано влияние соотноше- ния элементного состава S/(S+Se) на оптические и электрические свойства пленок Sb 2 (S x Se 1–x ) 3 . Показано, что ширина запрещенной зоны полученных пленок Sb 2 (S x Se 1–x ) 3 увеличивается с ростом концентрации серы. Синтезируемые пленки обладают малой энергией Урбаха, что свидетельствует об их низкой дефектности. Из температурных зависимостей электрического сопротивления уста- новлено наличие глубоких уровней в запрещенной зоне, энергия активации которых изменяется в диа- пазоне 0.5—0.8 эВ в зависимости от соотношения атомарной концентрации S/(S+Se). Подтверждена возможность получения эффективных солнечных элементов на основе Sb 2 (S x ,Se 1-x ) 3 с использованием метода вакуумного осаждения из порошков бинарных соединений Sb 2 S 3 и Sb 2 Se 3 . |
| Аннотация (на другом языке): | Using the thermal evaporation method, Sb 2 (S x Se 1-x ) 3 films have been produced from powders of the bi- nary compounds of Sb 2 S 3 and Sb 2 Se 3 at temperature of the substrate of 300℃. The effect exerted by the ele- mental composition ratio S/(S+Se) on optical and electric properties of Sb 2 (S x Se 1-x ) 3 films has been studied. It has been demonstrated that the band gap width of Sb 2 (S x Se 1-x ) 3 films is growing with an increase in the concentration of sulfur in the films produced. It has been found that the synthesized films feature low Urbach energies, offering their low-defect structure. Based on the temperature dependences of resistance, the pres- ence of deep-lying levels within the band gap of synthesized films has been revealed. The activation energy of these deep-lying levels was varying in the range of 0.5–0.8 eV depending on the ratio of the atomic con- centration S/(S+Se). These results indicate the possibility of producing effective solar cells based on Sb 2 (S x ,Se 1–x ) 3 with the use of thermal evaporation from powders of the binary compounds of Sb 2 S 3 and Sb 2 Se 3 . |
| URI документа: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/321713 |
| Лицензия: | info:eu-repo/semantics/restrictedAccess |
| Располагается в коллекциях: | Кафедра лазерной физики и спектроскопии (статьи) |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.