Оптические и электрические свойства пленок Sb 2 (S x Se 1–x ) 3 для солнечных элементов

Abstract

Методом вакуумного термического испарения получены пленки Sb 2 (S x Se 1–x ) 3 из порошков бинар- ных соединений Sb 2 S 3 и Sb 2 Se 3 при температуре подложки 300 °C. Исследовано влияние соотноше- ния элементного состава S/(S+Se) на оптические и электрические свойства пленок Sb 2 (S x Se 1–x ) 3 . Показано, что ширина запрещенной зоны полученных пленок Sb 2 (S x Se 1–x ) 3 увеличивается с ростом концентрации серы. Синтезируемые пленки обладают малой энергией Урбаха, что свидетельствует об их низкой дефектности. Из температурных зависимостей электрического сопротивления уста- новлено наличие глубоких уровней в запрещенной зоне, энергия активации которых изменяется в диа- пазоне 0.5—0.8 эВ в зависимости от соотношения атомарной концентрации S/(S+Se). Подтверждена возможность получения эффективных солнечных элементов на основе Sb 2 (S x ,Se 1-x ) 3 с использованием метода вакуумного осаждения из порошков бинарных соединений Sb 2 S 3 и Sb 2 Se 3 .