Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/31618| Title: | Свойства фотодиодных структур на основе сплавов SiGe, выращенных методом МЛЭ |
| Authors: | Гайдук, П. И. Зайков, В. А. Казючиц, Н. М. Русецкий, М. С. |
| Keywords: | ЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Электроника. Радиотехника |
| Issue Date: | 2010 |
| Publisher: | БГУ |
| Citation: | Квантовая электроника: восьмая Междунар. науч.-техн.конф. (Минск, 22–25 ноября 2010 г.): материалы. – Мн.,2010. |
| URI: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/31618 |
| Appears in Collections: | 2010. Квантовая электроника |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| СВОЙСТВА ФОТОДИОДНЫХ СТРУКТУР НА ОСНОВЕ СПЛАВОВ SiGe, ВЫРАЩЕННЫХ МЕТОДОМ МЛЭ.pdf | 183,32 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.