Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/31618
Полная запись метаданных
Поле DC | Значение | Язык |
---|---|---|
dc.contributor.author | Гайдук, П. И. | - |
dc.contributor.author | Зайков, В. А. | - |
dc.contributor.author | Казючиц, Н. М. | - |
dc.contributor.author | Русецкий, М. С. | - |
dc.date.accessioned | 2013-02-04T11:35:53Z | - |
dc.date.available | 2013-02-04T11:35:53Z | - |
dc.date.issued | 2010 | - |
dc.identifier.citation | Квантовая электроника: восьмая Междунар. науч.-техн.конф. (Минск, 22–25 ноября 2010 г.): материалы. – Мн.,2010. | ru |
dc.identifier.uri | http://elib.bsu.by/handle/123456789/31618 | - |
dc.language.iso | ru | ru |
dc.publisher | БГУ | ru |
dc.subject | ЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Электроника. Радиотехника | ru |
dc.title | Свойства фотодиодных структур на основе сплавов SiGe, выращенных методом МЛЭ | ru |
Располагается в коллекциях: | 2010. Квантовая электроника |
Полный текст документа:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
СВОЙСТВА ФОТОДИОДНЫХ СТРУКТУР НА ОСНОВЕ СПЛАВОВ SiGe, ВЫРАЩЕННЫХ МЕТОДОМ МЛЭ.pdf | 183,32 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.