Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/313535| Заглавие документа: | Эффект резистивного переключения в структурах на базе тонких слоев нитрида кремния |
| Авторы: | Крупенков, П. А. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2023 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | 80-я научная конференция студентов и аспирантов Белорусского государственного университета : материалы конф., Минск, 10–20 марта 2023 г. В 3 ч. Ч. 1 / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: А. В. Блохин (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2023. – С. 472-475. |
| Аннотация: | В настоящей работе исследованы процессы резистивного переключения и электрофизические свойства мемристорных структур ITO/SiNx/Si и Ni/SiNx/Si. Анализ вольт-амперных характеристик показал, что основными механизмами переноса носителей заряда в исследуемых структурах являются механизм туннелирования между ловушками в нитриде кремния и перенос носителей заряда по проводящим каналам, формирующимся в слоях SiNx |
| Доп. сведения: | Факультет радиофизики и компьютерных технологий |
| URI документа: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/313535 |
| ISBN: | 978-985-881-551-6 978-985-881-550-9 (ч. 1) |
| Лицензия: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Располагается в коллекциях: | 2023. Научная конференция студентов и аспирантов БГУ. В трех частях |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 472-475.pdf | 941,76 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.