Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/313535Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Крупенков, П. А. | |
| dc.date.accessioned | 2024-06-13T12:31:01Z | - |
| dc.date.available | 2024-06-13T12:31:01Z | - |
| dc.date.issued | 2023 | |
| dc.identifier.citation | 80-я научная конференция студентов и аспирантов Белорусского государственного университета : материалы конф., Минск, 10–20 марта 2023 г. В 3 ч. Ч. 1 / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: А. В. Блохин (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2023. – С. 472-475. | |
| dc.identifier.isbn | 978-985-881-551-6 | |
| dc.identifier.isbn | 978-985-881-550-9 (ч. 1) | |
| dc.identifier.uri | https://elib.bsu.by/handle/123456789/313535 | - |
| dc.description | Факультет радиофизики и компьютерных технологий | |
| dc.description.abstract | В настоящей работе исследованы процессы резистивного переключения и электрофизические свойства мемристорных структур ITO/SiNx/Si и Ni/SiNx/Si. Анализ вольт-амперных характеристик показал, что основными механизмами переноса носителей заряда в исследуемых структурах являются механизм туннелирования между ловушками в нитриде кремния и перенос носителей заряда по проводящим каналам, формирующимся в слоях SiNx | |
| dc.language.iso | ru | |
| dc.publisher | Минск : БГУ | |
| dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | |
| dc.title | Эффект резистивного переключения в структурах на базе тонких слоев нитрида кремния | |
| dc.type | conference paper | |
| Располагается в коллекциях: | 2023. Научная конференция студентов и аспирантов БГУ. В трех частях | |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 472-475.pdf | 941,76 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.