Гистерезис вольт-амперной характеристики лазерной квантоворазмерной гетероструктуры с обогащенным электронами слоем

Афоненко, А. А.; Ушаков, Д. В.; Дубинов, А. А.

Issue Date Author Title Subject

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/311177

Title:	Гистерезис вольт-амперной характеристики лазерной квантоворазмерной гетероструктуры с обогащенным электронами слоем
Authors:	Афоненко, А. А. Ушаков, Д. В. Дубинов, А. А.
Keywords:	ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Issue Date:	2024
Citation:	Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXVIII Международного симпозиума (Нижний Новгород, 11–15 марта 2024 г.). Н-25 В 2 томах. Том 2-й. — Нижний Новгород : ИПФ РАН, 2024. — С. 587-588
Abstract:	Проведено моделирование межподзонного однокаскадного лазера ТГц диапазона с плазмонным волноводом на основе обогащенного электронами слоя на гетеропереходе GaAs/AlGaAs. На основе самосогласованных расчетов электронных состояний с учетом влияния пространственного распределения заряда на профиль зоны проводимости показано, что вольт-амперная характеристика лазера имеет гистерезисный вид. Генерация плазмонной моды возникает преимущественно на нижнем участке гистерезиса.
URI:	https://elib.bsu.by/handle/123456789/311177
Sponsorship:	Работа выполнена при поддержке РНФ, грант № 23-19-00436.
Licence:	info:eu-repo/semantics/openAccess
Appears in Collections:	Кафедра квантовой радиофизики и оптоэлектроники. Статьи Кафедра физики и аэрокосмических технологий. Статьи

Files in This Item:

File	Description	Size	Format
587-588.pdf		489,44 kB	Adobe PDF	View/Open

Show full item record Google Scholar