Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/311177Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Афоненко, А. А. | - |
| dc.contributor.author | Ушаков, Д. В. | - |
| dc.contributor.author | Дубинов, А. А. | - |
| dc.date.accessioned | 2024-04-10T07:28:00Z | - |
| dc.date.available | 2024-04-10T07:28:00Z | - |
| dc.date.issued | 2024 | - |
| dc.identifier.citation | Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXVIII Международного симпозиума (Нижний Новгород, 11–15 марта 2024 г.). Н-25 В 2 томах. Том 2-й. — Нижний Новгород : ИПФ РАН, 2024. — С. 587-588 | ru |
| dc.identifier.uri | https://elib.bsu.by/handle/123456789/311177 | - |
| dc.description.abstract | Проведено моделирование межподзонного однокаскадного лазера ТГц диапазона с плазмонным волноводом на основе обогащенного электронами слоя на гетеропереходе GaAs/AlGaAs. На основе самосогласованных расчетов электронных состояний с учетом влияния пространственного распределения заряда на профиль зоны проводимости показано, что вольт-амперная характеристика лазера имеет гистерезисный вид. Генерация плазмонной моды возникает преимущественно на нижнем участке гистерезиса. | ru |
| dc.description.sponsorship | Работа выполнена при поддержке РНФ, грант № 23-19-00436. | ru |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | ru |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | ru |
| dc.title | Гистерезис вольт-амперной характеристики лазерной квантоворазмерной гетероструктуры с обогащенным электронами слоем | ru |
| dc.type | conference paper | ru |
| dc.rights.license | CC BY 4.0 | ru |
| Располагается в коллекциях: | Кафедра квантовой радиофизики и оптоэлектроники. Статьи Кафедра физики и аэрокосмических технологий. Статьи | |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 587-588.pdf | 489,44 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.