Logo BSU

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/305445
Title: Эффект резистивного переключения в структурах на базе тонких пленок нитрида кремния
Other Titles: The effect of resistive switching in structures based on thin films of silicon nitride / P. A. Krupenkov, I. A. Romanov, F. F. Komarov, N. S. Kovalchuk, S. A. Demidovich
Authors: Крупенков, П. А.
Романов, И. А.
Комаров, Ф. Ф.
Ковальчук, Н. С.
Демидович, С. А.
Keywords: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Issue Date: 2023
Publisher: Минск : БГУ
Citation: Квантовая электроника : материалы XIV Междунар. науч.-техн. конф., Минск, 21-23 нояб. 2023 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: М. М. Кугейко (гл. ред.), А. А. Афоненко, А. В. Баркова. – Минск : БГУ, 2023. – С. 278-282.
Abstract: В настоящей работе исследованы процессы резистивного переключения и электрофизические свойства мемристорных структур ITO/SiNx/Si и Ni/SiNx/Si. Анализ вольт-амперных характеристик показал, что основными механизмами переноса носителей заряда в исследуемых структурах является механизм туннелирования между ловушками в нитриде кремния и перенос носителей заряда по проводящим каналам, образовавшимся из материалов контактов в слоях SiNx
Abstract (in another language): In this paper, the processes of resistive switching and the electrophysical properties of memristor structures ITO/SiNx/Si and Ni/SiNx/Si are investigated. The analysis of volt-ampere characteristics showed that the main mechanisms of charge carrier transfer in the studied structures are the mechanism of tunneling between traps in silicon nitride and the transfer of charge carriers through conductive channels formed from contact materials in SiNx layers
URI: https://elib.bsu.by/handle/123456789/305445
ISBN: 978-985-881-530-1
Licence: info:eu-repo/semantics/openAccess
Appears in Collections:2023. Квантовая электроника

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
278-282.pdf1,75 MBAdobe PDFView/Open
Show full item record Google Scholar



Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.