Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/305445
Title: | Эффект резистивного переключения в структурах на базе тонких пленок нитрида кремния |
Other Titles: | The effect of resistive switching in structures based on thin films of silicon nitride / P. A. Krupenkov, I. A. Romanov, F. F. Komarov, N. S. Kovalchuk, S. A. Demidovich |
Authors: | Крупенков, П. А. Романов, И. А. Комаров, Ф. Ф. Ковальчук, Н. С. Демидович, С. А. |
Keywords: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
Issue Date: | 2023 |
Publisher: | Минск : БГУ |
Citation: | Квантовая электроника : материалы XIV Междунар. науч.-техн. конф., Минск, 21-23 нояб. 2023 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: М. М. Кугейко (гл. ред.), А. А. Афоненко, А. В. Баркова. – Минск : БГУ, 2023. – С. 278-282. |
Abstract: | В настоящей работе исследованы процессы резистивного переключения и электрофизические свойства мемристорных структур ITO/SiNx/Si и Ni/SiNx/Si. Анализ вольт-амперных характеристик показал, что основными механизмами переноса носителей заряда в исследуемых структурах является механизм туннелирования между ловушками в нитриде кремния и перенос носителей заряда по проводящим каналам, образовавшимся из материалов контактов в слоях SiNx |
Abstract (in another language): | In this paper, the processes of resistive switching and the electrophysical properties of memristor structures ITO/SiNx/Si and Ni/SiNx/Si are investigated. The analysis of volt-ampere characteristics showed that the main mechanisms of charge carrier transfer in the studied structures are the mechanism of tunneling between traps in silicon nitride and the transfer of charge carriers through conductive channels formed from contact materials in SiNx layers |
URI: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/305445 |
ISBN: | 978-985-881-530-1 |
Licence: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
Appears in Collections: | 2023. Квантовая электроника |
Files in This Item:
File | Description | Size | Format | |
---|---|---|---|---|
278-282.pdf | 1,75 MB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.