Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/305445Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Крупенков, П. А. | |
| dc.contributor.author | Романов, И. А. | |
| dc.contributor.author | Комаров, Ф. Ф. | |
| dc.contributor.author | Ковальчук, Н. С. | |
| dc.contributor.author | Демидович, С. А. | |
| dc.date.accessioned | 2023-12-01T07:25:34Z | - |
| dc.date.available | 2023-12-01T07:25:34Z | - |
| dc.date.issued | 2023 | |
| dc.identifier.citation | Квантовая электроника : материалы XIV Междунар. науч.-техн. конф., Минск, 21-23 нояб. 2023 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: М. М. Кугейко (гл. ред.), А. А. Афоненко, А. В. Баркова. – Минск : БГУ, 2023. – С. 278-282. | |
| dc.identifier.isbn | 978-985-881-530-1 | |
| dc.identifier.uri | https://elib.bsu.by/handle/123456789/305445 | - |
| dc.description.abstract | В настоящей работе исследованы процессы резистивного переключения и электрофизические свойства мемристорных структур ITO/SiNx/Si и Ni/SiNx/Si. Анализ вольт-амперных характеристик показал, что основными механизмами переноса носителей заряда в исследуемых структурах является механизм туннелирования между ловушками в нитриде кремния и перенос носителей заряда по проводящим каналам, образовавшимся из материалов контактов в слоях SiNx | |
| dc.language.iso | ru | |
| dc.publisher | Минск : БГУ | |
| dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | |
| dc.title | Эффект резистивного переключения в структурах на базе тонких пленок нитрида кремния | |
| dc.title.alternative | The effect of resistive switching in structures based on thin films of silicon nitride / P. A. Krupenkov, I. A. Romanov, F. F. Komarov, N. S. Kovalchuk, S. A. Demidovich | |
| dc.type | conference paper | |
| dc.description.alternative | In this paper, the processes of resistive switching and the electrophysical properties of memristor structures ITO/SiNx/Si and Ni/SiNx/Si are investigated. The analysis of volt-ampere characteristics showed that the main mechanisms of charge carrier transfer in the studied structures are the mechanism of tunneling between traps in silicon nitride and the transfer of charge carriers through conductive channels formed from contact materials in SiNx layers | |
| Располагается в коллекциях: | 2023. Квантовая электроника | |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 278-282.pdf | 1,75 MB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.