Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/305442| Заглавие документа: | Молекулярно-пучковая эпитаксия, фотолюминесцентные, электрические и топологические свойства слоев GaN и AlGaN, легированных Si и Mg |
| Другое заглавие: | Molecular beam epitaxy, photoluminescent, electrical and topological properties of GaN and AlGaN layers doped with Si and Mg / E. V. Lutsenko, A. G. Vainilovich, A. V. Nagornyi, D. A. Shohonov, B. D. Urmanov, V. A. Shulenkova, V. V. Mikulich, G. P. Yablonskii |
| Авторы: | Луценко, Е. В. Войнилович, А. Г. Нагорный, А. В. Шохонов, Д. А. Урманов, Б. Д. Шуленкова, В. А. Микулич, В. В. Яблонский, Г. П. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2023 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Квантовая электроника : материалы XIV Междунар. науч.-техн. конф., Минск, 21-23 нояб. 2023 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: М. М. Кугейко (гл. ред.), А. А. Афоненко, А. В. Баркова. – Минск : БГУ, 2023. – С. 262-267. |
| Аннотация: | Разработаны технологии плазменной и аммиачной молекулярно-пучковой эпитаксии (МПЭ) позволившие получить n++-GaN:Si с рекордными концентрацией (до 5,5ˑ10 20 см-3) и подвижностью электронов и p-GaN:Mg с параметрами приближающимися к лучшим мировым результатам для аммиачной МПЭ без использования процедуры постростового отжига. Получены эпитаксиальные слои AlxGa1-xN:Si с концентрацией электронов ~ 7ˑ10 18, 3,5ˑ10 18, 2ˑ10 18 см-3 для х = 0,5, 0,7 и 0,8 соответственно. Фотолюминесцентными методами показано, что получение высоких концентраций электронов и дырок обусловлено условиями эпитаксии при которых минимизировано образование собственных дефектов и их комплексов, компенсирующих легирующие примеси |
| Аннотация (на другом языке): | Plasma and ammonia molecular beam epitaxy (MBE) technologies have been developed, which have made it possible to obtain n++-GaN:Si with record concentration (up to 5.5ˑ10 20 cm-3) and electron mobility and p-GaN:Mg with parameters approaching the best world results for ammonia MBE without using the post-growth annealing procedure. AlxGa1-xN:Si epitaxial layers with electron concentrations of ~ 7ˑ10 18, 3.5ˑ10 18, 2ˑ10 18 cm-3 for x = 0.5, 0.7 and 0.8, respectively, were obtained. Photoluminescent methods have shown that the production of high concentrations of electrons and holes is due to epitaxy conditions under which the formation of intrinsic defects and their complexes that compensate for dopant impurities are minimized |
| URI документа: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/305442 |
| ISBN: | 978-985-881-530-1 |
| Лицензия: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Располагается в коллекциях: | 2023. Квантовая электроника |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 262-267.pdf | 1,8 MB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.