Молекулярно-пучковая эпитаксия, фотолюминесцентные, электрические и топологические свойства слоев GaN и AlGaN, легированных Si и Mg

Луценко, Е. В.; Войнилович, А. Г.; Нагорный, А. В.; Шохонов, Д. А.; Урманов, Б. Д.; Шуленкова, В. А.; Микулич, В. В.; Яблонский, Г. П.

Issue Date Author Title Subject

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/305442

Full metadata record

DC Field	Value	Language
dc.contributor.author	Луценко, Е. В.
dc.contributor.author	Войнилович, А. Г.
dc.contributor.author	Нагорный, А. В.
dc.contributor.author	Шохонов, Д. А.
dc.contributor.author	Урманов, Б. Д.
dc.contributor.author	Шуленкова, В. А.
dc.contributor.author	Микулич, В. В.
dc.contributor.author	Яблонский, Г. П.
dc.date.accessioned	2023-12-01T07:25:34Z	-
dc.date.available	2023-12-01T07:25:34Z	-
dc.date.issued	2023
dc.identifier.citation	Квантовая электроника : материалы XIV Междунар. науч.-техн. конф., Минск, 21-23 нояб. 2023 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: М. М. Кугейко (гл. ред.), А. А. Афоненко, А. В. Баркова. – Минск : БГУ, 2023. – С. 262-267.
dc.identifier.isbn	978-985-881-530-1
dc.identifier.uri	https://elib.bsu.by/handle/123456789/305442	-
dc.description.abstract	Разработаны технологии плазменной и аммиачной молекулярно-пучковой эпитаксии (МПЭ) позволившие получить n++-GaN:Si с рекордными концентрацией (до 5,5ˑ10 20 см-3) и подвижностью электронов и p-GaN:Mg с параметрами приближающимися к лучшим мировым результатам для аммиачной МПЭ без использования процедуры постростового отжига. Получены эпитаксиальные слои AlxGa1-xN:Si с концентрацией электронов ~ 7ˑ10 18, 3,5ˑ10 18, 2ˑ10 18 см-3 для х = 0,5, 0,7 и 0,8 соответственно. Фотолюминесцентными методами показано, что получение высоких концентраций электронов и дырок обусловлено условиями эпитаксии при которых минимизировано образование собственных дефектов и их комплексов, компенсирующих легирующие примеси
dc.language.iso	ru
dc.publisher	Минск : БГУ
dc.rights	info:eu-repo/semantics/openAccess
dc.subject	ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
dc.title	Молекулярно-пучковая эпитаксия, фотолюминесцентные, электрические и топологические свойства слоев GaN и AlGaN, легированных Si и Mg
dc.title.alternative	Molecular beam epitaxy, photoluminescent, electrical and topological properties of GaN and AlGaN layers doped with Si and Mg / E. V. Lutsenko, A. G. Vainilovich, A. V. Nagornyi, D. A. Shohonov, B. D. Urmanov, V. A. Shulenkova, V. V. Mikulich, G. P. Yablonskii
dc.type	conference paper
dc.description.alternative	Plasma and ammonia molecular beam epitaxy (MBE) technologies have been developed, which have made it possible to obtain n++-GaN:Si with record concentration (up to 5.5ˑ10 20 cm-3) and electron mobility and p-GaN:Mg with parameters approaching the best world results for ammonia MBE without using the post-growth annealing procedure. AlxGa1-xN:Si epitaxial layers with electron concentrations of ~ 7ˑ10 18, 3.5ˑ10 18, 2ˑ10 18 cm-3 for x = 0.5, 0.7 and 0.8, respectively, were obtained. Photoluminescent methods have shown that the production of high concentrations of electrons and holes is due to epitaxy conditions under which the formation of intrinsic defects and their complexes that compensate for dopant impurities are minimized
Appears in Collections:	2023. Квантовая электроника

Files in This Item:

File	Description	Size	Format
262-267.pdf		1,8 MB	Adobe PDF	View/Open

Show simple item record Google Scholar