Поглощение ИК излучения профилированными структурами Si3N4/Me/Si3N4: влияние типа металла

Козодоев, С. В.; Мухаммад, А. И.; Гайдук, П. И.

Issue Date Author Title Subject

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/305407

Title:	Поглощение ИК излучения профилированными структурами Si3N4/Me/Si3N4: влияние типа металла
Other Titles:	Absorption of IR radiation by profiled structures Si3N4/Me/Si3N4: influence of metal type / S. V. Kozodoev, A. I. Muhammad, P. I. Gaiduk
Authors:	Козодоев, С. В. Мухаммад, А. И. Гайдук, П. И.
Keywords:	ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Issue Date:	2023
Publisher:	Минск : БГУ
Citation:	Квантовая электроника : материалы XIV Междунар. науч.-техн. конф., Минск, 21-23 нояб. 2023 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: М. М. Кугейко (гл. ред.), А. А. Афоненко, А. В. Баркова. – Минск : БГУ, 2023. – С. 138-141.
Abstract:	Методом конечных разностей во временной области рассчитаны спектры поглощения оптического излучения профилированными структурами Si3N4/Me/Si3N4 в зависимости от типа металла, из которого изготовлена рамка. Обнаружено, что эффективность поглощения оптического излучения профилированными структурами Si3N4/Me/Si3N4 в диапазоне 8.5 – 11 мкм не опускается ниже 70 % вне зависимости от состава металлического слоя. При этом структура Si3N4/Ti/Si3N4 поглощает больше 95 % излучения на длине волны 9.35 мкм. Предполагается, что в диапазоне 8.5 – 11 мкм проявляются плазмонные эффекты, что косвенно подтверждается распределением интенсивности электромагнитного поля в исследованных структурах. Показано, что на длинах волн ≥9.5 мкм основное поглощение происходит в слоях нитрида кремния
Abstract (in another language):	Using the finite difference method in the time domain, the absorption spectra of optical radiation by profiled Si3N4/Me/Si3N4 structures are calculated depending on the type of metal from which the frame is made. It was found that the efficiency of absorption of optical radiation by profiled Si3N4/Me/Si3N4 structures in the range of 8.5 – 11 μm does not fall below 70%, regardless of the composition of the metal layer. In this case, the Si 3 N 4 /Me/Si 3 N 4 structure absorbs more than 95 % of the radiation at a wavelength of 9.35 μm. It is assumed that plasmonic effects appear in the range of 8.5 – 11 µm, which is indirectly confirmed by the distribution of electromagnetic field intensity in the studied structures. It has been shown that at wavelengths ≥9.5 μm, the main absorption occurs in silicon nitride layers
URI:	https://elib.bsu.by/handle/123456789/305407
ISBN:	978-985-881-530-1
Licence:	info:eu-repo/semantics/openAccess
Appears in Collections:	2023. Квантовая электроника

Files in This Item:

File	Description	Size	Format
138-141.pdf		1,66 MB	Adobe PDF	View/Open

Show full item record Google Scholar