Поглощение ИК излучения профилированными структурами Si3N4/Me/Si3N4: влияние типа металла

Козодоев, С. В.; Мухаммад, А. И.; Гайдук, П. И.

Даты публикации Авторы Заглавия Темы

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/305407

Полная запись метаданных

Поле DC	Значение	Язык
dc.contributor.author	Козодоев, С. В.
dc.contributor.author	Мухаммад, А. И.
dc.contributor.author	Гайдук, П. И.
dc.date.accessioned	2023-12-01T07:25:13Z	-
dc.date.available	2023-12-01T07:25:13Z	-
dc.date.issued	2023
dc.identifier.citation	Квантовая электроника : материалы XIV Междунар. науч.-техн. конф., Минск, 21-23 нояб. 2023 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: М. М. Кугейко (гл. ред.), А. А. Афоненко, А. В. Баркова. – Минск : БГУ, 2023. – С. 138-141.
dc.identifier.isbn	978-985-881-530-1
dc.identifier.uri	https://elib.bsu.by/handle/123456789/305407	-
dc.description.abstract	Методом конечных разностей во временной области рассчитаны спектры поглощения оптического излучения профилированными структурами Si3N4/Me/Si3N4 в зависимости от типа металла, из которого изготовлена рамка. Обнаружено, что эффективность поглощения оптического излучения профилированными структурами Si3N4/Me/Si3N4 в диапазоне 8.5 – 11 мкм не опускается ниже 70 % вне зависимости от состава металлического слоя. При этом структура Si3N4/Ti/Si3N4 поглощает больше 95 % излучения на длине волны 9.35 мкм. Предполагается, что в диапазоне 8.5 – 11 мкм проявляются плазмонные эффекты, что косвенно подтверждается распределением интенсивности электромагнитного поля в исследованных структурах. Показано, что на длинах волн ≥9.5 мкм основное поглощение происходит в слоях нитрида кремния
dc.language.iso	ru
dc.publisher	Минск : БГУ
dc.rights	info:eu-repo/semantics/openAccess
dc.subject	ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
dc.title	Поглощение ИК излучения профилированными структурами Si3N4/Me/Si3N4: влияние типа металла
dc.title.alternative	Absorption of IR radiation by profiled structures Si3N4/Me/Si3N4: influence of metal type / S. V. Kozodoev, A. I. Muhammad, P. I. Gaiduk
dc.type	conference paper
dc.description.alternative	Using the finite difference method in the time domain, the absorption spectra of optical radiation by profiled Si3N4/Me/Si3N4 structures are calculated depending on the type of metal from which the frame is made. It was found that the efficiency of absorption of optical radiation by profiled Si3N4/Me/Si3N4 structures in the range of 8.5 – 11 μm does not fall below 70%, regardless of the composition of the metal layer. In this case, the Si 3 N 4 /Me/Si 3 N 4 structure absorbs more than 95 % of the radiation at a wavelength of 9.35 μm. It is assumed that plasmonic effects appear in the range of 8.5 – 11 µm, which is indirectly confirmed by the distribution of electromagnetic field intensity in the studied structures. It has been shown that at wavelengths ≥9.5 μm, the main absorption occurs in silicon nitride layers
Располагается в коллекциях:	2023. Квантовая электроника

Полный текст документа:

Файл	Описание	Размер	Формат
138-141.pdf		1,66 MB	Adobe PDF	Открыть

Показать базовое описание документа Статистика Google Scholar

Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.