Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/305356| Заглавие документа: | Влияние импульсной лазерной обработки на оптические и электрофизические характеристики структур Ni/SiC/поли-Si/Si3N4/SiO2/Si |
| Другое заглавие: | Influence of pulsed laser treatment on the optical and electrical characteristics of Ni/SiC/poly-Si/Si3N4/SiO2/Si structures / M. V. Palonski, M. V. Lobanok, S. L. Prakopyeu, M. N. Zhukova, P. I. Gaiduk |
| Авторы: | Полонский, Н. В. Лобанок, М. В. Прокопьев, С. Л. Жукова, М. Н. Гайдук, П. И. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2023 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Квантовая электроника : материалы XIV Междунар. науч.-техн. конф., Минск, 21-23 нояб. 2023 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: М. М. Кугейко (гл. ред.), А. А. Афоненко, А. В. Баркова. – Минск : БГУ, 2023. – С. 457-461. |
| Аннотация: | Представлены результаты исследований структурных, электрофизических и оптически характеристик структур Ni/SiC/поли-Si/Si3N4/SiO2/Si после импульсной лазерной обработки (ИЛО). Методом растровой электронной микроскопии обнаружено, что ИЛО при плотности энергии W ~ 0.65 Дж/см2 приводит к формированию зернистой морфологии поверхности, что сопровождается снижением отражательной способности в спектральном диапазоне 250 – 2500 нм. Установлено, что ИЛО структур при W ~ 0.64 и 1.03 Дж/см2 приводит к изменению слоевого сопротивления с 12.8 до 1860 и 165 Ом/□ соответственно. Полученные результаты обсуждаются с учетом возможного плавления поверхностных слоев при ИЛО и формирования силицидной фазы |
| Аннотация (на другом языке): | The results of studies of structural, electrophysical and optical characteristics of Ni/SiC/poly-Si/Si3N4/SiO2/Si structures after pulsed laser treatment (PLT) are presented. By scanning electron microscopy, it was found that PLT at an energy density of W ~ 0.65 J /cm2 leads to the formation of a granular morphology of the surface, which is accompanied by a decrease in reflectivity in the spectral range of 250 – 2500 nm. It was found that the PLA of structures at W ~ 0.64 and 1.03 J/cm2 leads to a change in the layer resistance from 12.8 to 1860 and 165 ohm/□, respectively. The results obtained are discussed taking into account the possible melting of the surface layers during silt and the formation of the silicide phase |
| URI документа: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/305356 |
| ISBN: | 978-985-881-530-1 |
| Финансовая поддержка: | Исследования выполнены в рамках проекта 3.1.2ГПНИ «Фотоника и электроника для инноваций» (проект 3.1.2, № ГР 20212702) и проекта БРФФИ Т22-030 (№ ГР 20221052). |
| Лицензия: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Располагается в коллекциях: | 2023. Квантовая электроника |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 457-461.pdf | 1,72 MB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.