Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/305356
Полная запись метаданных
Поле DC | Значение | Язык |
---|---|---|
dc.contributor.author | Полонский, Н. В. | |
dc.contributor.author | Лобанок, М. В. | |
dc.contributor.author | Прокопьев, С. Л. | |
dc.contributor.author | Жукова, М. Н. | |
dc.contributor.author | Гайдук, П. И. | |
dc.date.accessioned | 2023-12-01T07:24:56Z | - |
dc.date.available | 2023-12-01T07:24:56Z | - |
dc.date.issued | 2023 | |
dc.identifier.citation | Квантовая электроника : материалы XIV Междунар. науч.-техн. конф., Минск, 21-23 нояб. 2023 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: М. М. Кугейко (гл. ред.), А. А. Афоненко, А. В. Баркова. – Минск : БГУ, 2023. – С. 457-461. | |
dc.identifier.isbn | 978-985-881-530-1 | |
dc.identifier.uri | https://elib.bsu.by/handle/123456789/305356 | - |
dc.description.abstract | Представлены результаты исследований структурных, электрофизических и оптически характеристик структур Ni/SiC/поли-Si/Si3N4/SiO2/Si после импульсной лазерной обработки (ИЛО). Методом растровой электронной микроскопии обнаружено, что ИЛО при плотности энергии W ~ 0.65 Дж/см2 приводит к формированию зернистой морфологии поверхности, что сопровождается снижением отражательной способности в спектральном диапазоне 250 – 2500 нм. Установлено, что ИЛО структур при W ~ 0.64 и 1.03 Дж/см2 приводит к изменению слоевого сопротивления с 12.8 до 1860 и 165 Ом/□ соответственно. Полученные результаты обсуждаются с учетом возможного плавления поверхностных слоев при ИЛО и формирования силицидной фазы | |
dc.description.sponsorship | Исследования выполнены в рамках проекта 3.1.2ГПНИ «Фотоника и электроника для инноваций» (проект 3.1.2, № ГР 20212702) и проекта БРФФИ Т22-030 (№ ГР 20221052). | |
dc.language.iso | ru | |
dc.publisher | Минск : БГУ | |
dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | |
dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | |
dc.title | Влияние импульсной лазерной обработки на оптические и электрофизические характеристики структур Ni/SiC/поли-Si/Si3N4/SiO2/Si | |
dc.title.alternative | Influence of pulsed laser treatment on the optical and electrical characteristics of Ni/SiC/poly-Si/Si3N4/SiO2/Si structures / M. V. Palonski, M. V. Lobanok, S. L. Prakopyeu, M. N. Zhukova, P. I. Gaiduk | |
dc.type | conference paper | |
dc.description.alternative | The results of studies of structural, electrophysical and optical characteristics of Ni/SiC/poly-Si/Si3N4/SiO2/Si structures after pulsed laser treatment (PLT) are presented. By scanning electron microscopy, it was found that PLT at an energy density of W ~ 0.65 J /cm2 leads to the formation of a granular morphology of the surface, which is accompanied by a decrease in reflectivity in the spectral range of 250 – 2500 nm. It was found that the PLA of structures at W ~ 0.64 and 1.03 J/cm2 leads to a change in the layer resistance from 12.8 to 1860 and 165 ohm/□, respectively. The results obtained are discussed taking into account the possible melting of the surface layers during silt and the formation of the silicide phase | |
Располагается в коллекциях: | 2023. Квантовая электроника |
Полный текст документа:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
457-461.pdf | 1,72 MB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.