Logo BSU

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/305356
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorПолонский, Н. В.
dc.contributor.authorЛобанок, М. В.
dc.contributor.authorПрокопьев, С. Л.
dc.contributor.authorЖукова, М. Н.
dc.contributor.authorГайдук, П. И.
dc.date.accessioned2023-12-01T07:24:56Z-
dc.date.available2023-12-01T07:24:56Z-
dc.date.issued2023
dc.identifier.citationКвантовая электроника : материалы XIV Междунар. науч.-техн. конф., Минск, 21-23 нояб. 2023 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: М. М. Кугейко (гл. ред.), А. А. Афоненко, А. В. Баркова. – Минск : БГУ, 2023. – С. 457-461.
dc.identifier.isbn978-985-881-530-1
dc.identifier.urihttps://elib.bsu.by/handle/123456789/305356-
dc.description.abstractПредставлены результаты исследований структурных, электрофизических и оптически характеристик структур Ni/SiC/поли-Si/Si3N4/SiO2/Si после импульсной лазерной обработки (ИЛО). Методом растровой электронной микроскопии обнаружено, что ИЛО при плотности энергии W ~ 0.65 Дж/см2 приводит к формированию зернистой морфологии поверхности, что сопровождается снижением отражательной способности в спектральном диапазоне 250 – 2500 нм. Установлено, что ИЛО структур при W ~ 0.64 и 1.03 Дж/см2 приводит к изменению слоевого сопротивления с 12.8 до 1860 и 165 Ом/□ соответственно. Полученные результаты обсуждаются с учетом возможного плавления поверхностных слоев при ИЛО и формирования силицидной фазы
dc.description.sponsorshipИсследования выполнены в рамках проекта 3.1.2ГПНИ «Фотоника и электроника для инноваций» (проект 3.1.2, № ГР 20212702) и проекта БРФФИ Т22-030 (№ ГР 20221052).
dc.language.isoru
dc.publisherМинск : БГУ
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccess
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
dc.titleВлияние импульсной лазерной обработки на оптические и электрофизические характеристики структур Ni/SiC/поли-Si/Si3N4/SiO2/Si
dc.title.alternativeInfluence of pulsed laser treatment on the optical and electrical characteristics of Ni/SiC/poly-Si/Si3N4/SiO2/Si structures / M. V. Palonski, M. V. Lobanok, S. L. Prakopyeu, M. N. Zhukova, P. I. Gaiduk
dc.typeconference paper
dc.description.alternativeThe results of studies of structural, electrophysical and optical characteristics of Ni/SiC/poly-Si/Si3N4/SiO2/Si structures after pulsed laser treatment (PLT) are presented. By scanning electron microscopy, it was found that PLT at an energy density of W ~ 0.65 J /cm2 leads to the formation of a granular morphology of the surface, which is accompanied by a decrease in reflectivity in the spectral range of 250 – 2500 nm. It was found that the PLA of structures at W ~ 0.64 and 1.03 J/cm2 leads to a change in the layer resistance from 12.8 to 1860 and 165 ohm/□, respectively. The results obtained are discussed taking into account the possible melting of the surface layers during silt and the formation of the silicide phase
Располагается в коллекциях:2023. Квантовая электроника

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
457-461.pdf1,72 MBAdobe PDFОткрыть
Показать базовое описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.