Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/304357| Title: | Влияние дозы имплантации на электрофизические свойства диоксида кремния, имплантированного высокими дозами ионов олова |
| Other Titles: | Electrical properties of silicon oxide layers implanted with high fluences of tin ions / Ivan Romanov, Fadei Komarov, Elke Wendler |
| Authors: | Романов, И. А. Комаров, Ф. Ф. Wendler, E. |
| Keywords: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Issue Date: | 2023 |
| Publisher: | Минск : БГУ |
| Citation: | Взаимодействие излучений с твердым телом : материалы 15-й Междунар. конф., Минск, Беларусь, 26-29 сент. 2023 г. / Белорус, гос. ун-т ; редкол.: В. В. Углов (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2023. – С. 301-303. |
| Abstract: | Исследуемые структуры изготовлены методом имплантации ионов олова с энергией 80 кэВ и дозами 1×10 17, 5×10 16 и 2.5×10 16 см-2 в термически выращенные слои SiO2 с последующей термообработкой при 900 °C в течение часа на воздухе. Методом измерения зависимостей U(t) и вольт-амперных характеристик установлено, что увеличение дозы имплантации с 2.5×10 16 до 1×10 17 см-2 приводит к увеличению проводимости имплантированных и отожженных слоев в 9 раз и уменьшению доли захваченных на ловушки носителей заряда в 1.5 раза. Сделан вывод, что при увеличении дозы имплантации механизм переноса носителей заряда путем туннелирования между ловушками начинает преобладать над механизмом захвата носителей заряда на ловушки |
| Abstract (in another language): | Samples of SiO2 (130 nm)/Si were implanted with Sn+ ions (80 keV, 2.5×10 16, 5×10 16 and 1×10 17 cm-2) at room temperature and afterwards annealed at 900 °C for 60 minutes in ambient air. Current-voltage characteristics and voltage-time dependencies were investigated under positive bias on the silicon substrate. A 1M solution of Na2SO4 was used as a contact to the implanted layer. It was found that increasing the implantation dose from 2.5×10 16 to 1×10 17 cm-2 leads to a nine-fold increase in the conductivity of the implanted layers and a 1.5-fold decrease in the fraction of charge carriers trapped. It is concluded that as the implantation dose increases, the mechanism of charge carrier transport through tunneling between traps begins to dominate over the mechanism of charge carrier capture by traps |
| Description: | Секция 3. Влияние излучений на структуру и свойства материалов = Section 3. Radiation influence on the structure and properties of materials |
| URI: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/304357 |
| ISSN: | 2663-9939 (Print) 2706-9060 (Online) |
| Licence: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Appears in Collections: | 2023. Взаимодействие излучений с твердым телом |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| 301-303.pdf | 367,55 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.