Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/304357| Заглавие документа: | Влияние дозы имплантации на электрофизические свойства диоксида кремния, имплантированного высокими дозами ионов олова |
| Другое заглавие: | Electrical properties of silicon oxide layers implanted with high fluences of tin ions / Ivan Romanov, Fadei Komarov, Elke Wendler |
| Авторы: | Романов, И. А. Комаров, Ф. Ф. Wendler, E. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2023 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Взаимодействие излучений с твердым телом : материалы 15-й Междунар. конф., Минск, Беларусь, 26-29 сент. 2023 г. / Белорус, гос. ун-т ; редкол.: В. В. Углов (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2023. – С. 301-303. |
| Аннотация: | Исследуемые структуры изготовлены методом имплантации ионов олова с энергией 80 кэВ и дозами 1×10 17, 5×10 16 и 2.5×10 16 см-2 в термически выращенные слои SiO2 с последующей термообработкой при 900 °C в течение часа на воздухе. Методом измерения зависимостей U(t) и вольт-амперных характеристик установлено, что увеличение дозы имплантации с 2.5×10 16 до 1×10 17 см-2 приводит к увеличению проводимости имплантированных и отожженных слоев в 9 раз и уменьшению доли захваченных на ловушки носителей заряда в 1.5 раза. Сделан вывод, что при увеличении дозы имплантации механизм переноса носителей заряда путем туннелирования между ловушками начинает преобладать над механизмом захвата носителей заряда на ловушки |
| Аннотация (на другом языке): | Samples of SiO2 (130 nm)/Si were implanted with Sn+ ions (80 keV, 2.5×10 16, 5×10 16 and 1×10 17 cm-2) at room temperature and afterwards annealed at 900 °C for 60 minutes in ambient air. Current-voltage characteristics and voltage-time dependencies were investigated under positive bias on the silicon substrate. A 1M solution of Na2SO4 was used as a contact to the implanted layer. It was found that increasing the implantation dose from 2.5×10 16 to 1×10 17 cm-2 leads to a nine-fold increase in the conductivity of the implanted layers and a 1.5-fold decrease in the fraction of charge carriers trapped. It is concluded that as the implantation dose increases, the mechanism of charge carrier transport through tunneling between traps begins to dominate over the mechanism of charge carrier capture by traps |
| Доп. сведения: | Секция 3. Влияние излучений на структуру и свойства материалов = Section 3. Radiation influence on the structure and properties of materials |
| URI документа: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/304357 |
| ISSN: | 2663-9939 (Print) 2706-9060 (Online) |
| Лицензия: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Располагается в коллекциях: | 2023. Взаимодействие излучений с твердым телом |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 301-303.pdf | 367,55 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.