Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/304349| Title: | Структура и оптические свойства кремния, гипердопированного атомами индия и мышьяка: эффект электроннолучевого отжига |
| Other Titles: | Structure and optical properties of silicon hyperdoped with indium and arsenic: effect of electron beam annealing / О.V. Milchanin, F.F. Komarov, М.А. Мokhovikou, I.S. Rahavaya, I.N. Parkhomenko, N.N. Koval, А.D. Teresov, О.V. Коrolik, Elke Wendler |
| Authors: | Мильчанин, О. В. Комаров, Ф. Ф. Моховиков, М. А. Роговая, И. С. Пархоменко, И. Н. Коваль, Н. Н. Тересов, А. Д. Королик, О. В. Wendler, E. |
| Keywords: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Issue Date: | 2023 |
| Publisher: | Минск : БГУ |
| Citation: | Взаимодействие излучений с твердым телом : материалы 15-й Междунар. конф., Минск, Беларусь, 26-29 сент. 2023 г. / Белорус, гос. ун-т ; редкол.: В. В. Углов (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2023. – С. 276-278. |
| Abstract: | Впервые использован импульсный микросекундный электронный отжиг (Е = 7 - 15 кэВ) для гипердопирования кремния имплантацией ионами индия и мышьяка. Концентрация внедренных атомов In и As составляла ~ 6.5 ат.%. Результаты просвечивающей электронной микроскопии выявили формирование протяженного слоя (толщиной порядка 20 мкм) вторичных дефектов структуры различного дислокационного типа после электронного отжига. Методом резерфордовского обратного рассеяния ионов He+ исследовано перераспределение внедренной примеси в условиях расплавления слоя Si электронным пучком и при твердофазном отжиге. Для ряда режимов отжига методом комбинационного рассеяния света обнаружено формирование нанокристаллов InAs. Определено влияние режимов электронного отжига на коэффициенты отражения света в видимом и ближнем ИК – диапазонах |
| Abstract (in another language): | For the first time, the pulse microsecond electron annealing (EA) (E = 7 - 15 keV) has been used for hyperdoping of silicon with ion-implanted indium and arsenic. The concentration of implanted impurities amounts to ~ at.6.5%. The results of TEM measurements indicated on the formation of extended layer (thickness of the order of 20 µm) of secondary defects such as dislocations of different type after EA. Redistributions of implanted atoms in the case of silicon layer melting and in the solid phase have been studied. The formation of InAs nanocrystal was observed by Raman spectroscopy for a few regimes of EA. The effect of EA regimes on light reflectance from the hyperdoped silicon in visual and near-infrared ranges was determined |
| Description: | Секция 3. Влияние излучений на структуру и свойства материалов = Section 3. Radiation influence on the structure and properties of materials |
| URI: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/304349 |
| ISSN: | 2663-9939 (Print) 2706-9060 (Online) |
| Licence: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Appears in Collections: | 2023. Взаимодействие излучений с твердым телом |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| 276-278.pdf | 466,45 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.