Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/304349| Заглавие документа: | Структура и оптические свойства кремния, гипердопированного атомами индия и мышьяка: эффект электроннолучевого отжига |
| Другое заглавие: | Structure and optical properties of silicon hyperdoped with indium and arsenic: effect of electron beam annealing / О.V. Milchanin, F.F. Komarov, М.А. Мokhovikou, I.S. Rahavaya, I.N. Parkhomenko, N.N. Koval, А.D. Teresov, О.V. Коrolik, Elke Wendler |
| Авторы: | Мильчанин, О. В. Комаров, Ф. Ф. Моховиков, М. А. Роговая, И. С. Пархоменко, И. Н. Коваль, Н. Н. Тересов, А. Д. Королик, О. В. Wendler, E. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2023 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Взаимодействие излучений с твердым телом : материалы 15-й Междунар. конф., Минск, Беларусь, 26-29 сент. 2023 г. / Белорус, гос. ун-т ; редкол.: В. В. Углов (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2023. – С. 276-278. |
| Аннотация: | Впервые использован импульсный микросекундный электронный отжиг (Е = 7 - 15 кэВ) для гипердопирования кремния имплантацией ионами индия и мышьяка. Концентрация внедренных атомов In и As составляла ~ 6.5 ат.%. Результаты просвечивающей электронной микроскопии выявили формирование протяженного слоя (толщиной порядка 20 мкм) вторичных дефектов структуры различного дислокационного типа после электронного отжига. Методом резерфордовского обратного рассеяния ионов He+ исследовано перераспределение внедренной примеси в условиях расплавления слоя Si электронным пучком и при твердофазном отжиге. Для ряда режимов отжига методом комбинационного рассеяния света обнаружено формирование нанокристаллов InAs. Определено влияние режимов электронного отжига на коэффициенты отражения света в видимом и ближнем ИК – диапазонах |
| Аннотация (на другом языке): | For the first time, the pulse microsecond electron annealing (EA) (E = 7 - 15 keV) has been used for hyperdoping of silicon with ion-implanted indium and arsenic. The concentration of implanted impurities amounts to ~ at.6.5%. The results of TEM measurements indicated on the formation of extended layer (thickness of the order of 20 µm) of secondary defects such as dislocations of different type after EA. Redistributions of implanted atoms in the case of silicon layer melting and in the solid phase have been studied. The formation of InAs nanocrystal was observed by Raman spectroscopy for a few regimes of EA. The effect of EA regimes on light reflectance from the hyperdoped silicon in visual and near-infrared ranges was determined |
| Доп. сведения: | Секция 3. Влияние излучений на структуру и свойства материалов = Section 3. Radiation influence on the structure and properties of materials |
| URI документа: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/304349 |
| ISSN: | 2663-9939 (Print) 2706-9060 (Online) |
| Лицензия: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Располагается в коллекциях: | 2023. Взаимодействие излучений с твердым телом |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 276-278.pdf | 466,45 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.