Влияние предварительных термообработок на процессы радиационного дефектообразования в кристаллах p-Si

Медведева, И. Ф.; Маркевич, В. П.; Фадеева, Е. А.; Огородников, Д. А.

Issue Date Author Title Subject

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/304314

Title:	Влияние предварительных термообработок на процессы радиационного дефектообразования в кристаллах p-Si
Other Titles:	Influence of preliminary heat treatments on processes of radiation-induced defect formation in p-Si crystals / I.F. Medvedeva, V.P. Markevich, E.A. Fadeeva, D.А. Aharodnikau
Authors:	Медведева, И. Ф. Маркевич, В. П. Фадеева, Е. А. Огородников, Д. А.
Keywords:	ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Issue Date:	2023
Publisher:	Минск : БГУ
Citation:	Взаимодействие излучений с твердым телом : материалы 15-й Междунар. конф., Минск, Беларусь, 26-29 сент. 2023 г. / Белорус, гос. ун-т ; редкол.: В. В. Углов (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2023. – С. 177-179.
Abstract:	Изучены особенности формирования и отжига радиационных дефектов (РД) в кристаллах p-Cz-Si, прошедших предварительную термообработку (ПТО) при 600 °C в течение 30 мин и облученных электронами (E = 4 МэВ) при комнатной температуре. Установлено, что ПТО не оказывает заметного влияния на тип и скорость введения основных РД. Однако при изохронном отжиге предварительно термообработанных образцов в интервале температур 150-250 °C наблюдается эффективное образование нового электрически активного центра с уровнем, расположенным у EV +0.19 эВ. Предполагается, что эффект ПТО связан с активацией быстродиффундирующих примесей переходных металлов (Cu, Ni) и их взаимодействием с радиационными дефектами
Abstract (in another language):	The formation and annealing of radiation induced defects (RDs) have been studied by means of Hall effect measurements in p-type Cz-Si crystals, which were subjected to preliminary heat-treatments at 600 °C for 30 min and irradiation with electrons (E = 4 MeV) at room temperature. It is found that such pre-heat-treatments (PHT) do not affect noticeably the type and introduction rates of the main RDs. However, upon isochronal annealing of the pre-heat-treated samples in the temperature range 150-250 °C an efficient formation of a new electrically active center with the level located at EV +0.19 eV has been observed. It is suggested that the PHT effect is associated with an activation of fast-diffusing transition metal impurities (Cu or Ni) and their interaction with radiation-induced defects
Description:	Секция 2. Радиационные эффекты в твердом теле = Section 2. Radiation effects in solids
URI:	https://elib.bsu.by/handle/123456789/304314
ISSN:	2663-9939 (Print) 2706-9060 (Online)
Licence:	info:eu-repo/semantics/openAccess
Appears in Collections:	2023. Взаимодействие излучений с твердым телом

Files in This Item:

File	Description	Size	Format
177-179.pdf		296,75 kB	Adobe PDF	View/Open

Show full item record Google Scholar