Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/304314Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Медведева, И. Ф. | |
| dc.contributor.author | Маркевич, В. П. | |
| dc.contributor.author | Фадеева, Е. А. | |
| dc.contributor.author | Огородников, Д. А. | |
| dc.date.accessioned | 2023-11-03T13:27:52Z | - |
| dc.date.available | 2023-11-03T13:27:52Z | - |
| dc.date.issued | 2023 | |
| dc.identifier.citation | Взаимодействие излучений с твердым телом : материалы 15-й Междунар. конф., Минск, Беларусь, 26-29 сент. 2023 г. / Белорус, гос. ун-т ; редкол.: В. В. Углов (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2023. – С. 177-179. | |
| dc.identifier.issn | 2663-9939 (Print) | |
| dc.identifier.issn | 2706-9060 (Online) | |
| dc.identifier.uri | https://elib.bsu.by/handle/123456789/304314 | - |
| dc.description | Секция 2. Радиационные эффекты в твердом теле = Section 2. Radiation effects in solids | |
| dc.description.abstract | Изучены особенности формирования и отжига радиационных дефектов (РД) в кристаллах p-Cz-Si, прошедших предварительную термообработку (ПТО) при 600 °C в течение 30 мин и облученных электронами (E = 4 МэВ) при комнатной температуре. Установлено, что ПТО не оказывает заметного влияния на тип и скорость введения основных РД. Однако при изохронном отжиге предварительно термообработанных образцов в интервале температур 150-250 °C наблюдается эффективное образование нового электрически активного центра с уровнем, расположенным у EV +0.19 эВ. Предполагается, что эффект ПТО связан с активацией быстродиффундирующих примесей переходных металлов (Cu, Ni) и их взаимодействием с радиационными дефектами | |
| dc.language.iso | ru | |
| dc.publisher | Минск : БГУ | |
| dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | |
| dc.title | Влияние предварительных термообработок на процессы радиационного дефектообразования в кристаллах p-Si | |
| dc.title.alternative | Influence of preliminary heat treatments on processes of radiation-induced defect formation in p-Si crystals / I.F. Medvedeva, V.P. Markevich, E.A. Fadeeva, D.А. Aharodnikau | |
| dc.type | conference paper | |
| dc.description.alternative | The formation and annealing of radiation induced defects (RDs) have been studied by means of Hall effect measurements in p-type Cz-Si crystals, which were subjected to preliminary heat-treatments at 600 °C for 30 min and irradiation with electrons (E = 4 MeV) at room temperature. It is found that such pre-heat-treatments (PHT) do not affect noticeably the type and introduction rates of the main RDs. However, upon isochronal annealing of the pre-heat-treated samples in the temperature range 150-250 °C an efficient formation of a new electrically active center with the level located at EV +0.19 eV has been observed. It is suggested that the PHT effect is associated with an activation of fast-diffusing transition metal impurities (Cu or Ni) and their interaction with radiation-induced defects | |
| Располагается в коллекциях: | 2023. Взаимодействие излучений с твердым телом | |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 177-179.pdf | 296,75 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.