Logo BSU

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/304258
Title: Импульсное реактивное магнетронное напыление термочувствительных пленок оксида ванадия
Other Titles: Pulsed reactive magnetron sputtering of thermosensitive vanadium oxide films / Andrei Zanka, Dmitriy Kotov, Vladimir Kolos, Konstantin Logunov, Nikita Leonovich
Authors: Занько, А. И.
Котов, Д. А.
Колос, В. В.
Логунов, К. Т.
Леонович, Н. В.
Keywords: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Issue Date: 2023
Publisher: Минск : БГУ
Citation: Взаимодействие излучений с твердым телом : материалы 15-й Междунар. конф., Минск, Беларусь, 26-29 сент. 2023 г. / Белорус, гос. ун-т ; редкол.: В. В. Углов (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2023. – С. 500-503.
Abstract: Представлены результаты по получению термочувствительных пленок оксида ванадия (VOx) методом импульсного реактивного магнетронного распыления мишени из ванадия для их применения в микроболометрах. Установлены зависимости удельного электрического сопротивления, температурного коэффициента электрическиого сопротивления (ТКС) и изменения структуры пленок от процентного содержания кислорода (K(O2)) и частоты отрицательных импульсов при температуре подложки от 300 до 400 ℃. Установлено, что в общем случае, удельное сопротивление оксида ванадия, ТКС и размер зерна пленок VOx увеличиваются с увеличением частоты импульсов. Средние значения ТКС пленок VOx находились в диапазоне от 1.2 до 2.4 %/℃ при значениях удельного сопротивления 0.1-120 Ом·см. При более высоких температурах подложки как правило формируются пленки VOx с меньшим удельным сопротивлением. Однако ТКС при этом имеет более сложный характер зависимости, но в общем виде сохраняется принцип более высоких ТКС при более высоких удельных сопротивлениях. Повышение частоты отрицательных импульсов приводит к увеличению удельного сопротивления и размера зерен в пленках VOx
Abstract (in another language): The results of obtaining thermosensitive vanadium oxide (VOx) films by pulsed reactive magnetron sputtering from a vanadium target for their use in microbolometers are presented. The dependences of the electrical resistivity, the temperature coefficient of electrical resistance (TCR) and changes in the structure of films on the percentage of oxygen (K(O2)) and the frequency of negative pulses at the substrate temperature from 300 to 400 ℃ are established. The resistivity of vanadium oxide, TCR and the grain size of VOx films increases with increasing pulse frequency. The average values of the TCR of VOx films were in the range from 1.2 to 2.4%/℃ at resistivity values of 0.1-120 Ohms·cm. At higher temperatures of the substrate, VOx films with lower resistivity are usually formed. At the same time, the TCR has a more complex nature of dependence, but in general the principle of higher TCR at higher resistivity remains. An increase in the frequency of negative pulses leads to an increase in the resistivity and grain size in VOx films
Description: Секция 5. Методы, оборудование, плазменные и радиационные технологии = Section 5. Methods, equipment, plasma and radiation technologies
URI: https://elib.bsu.by/handle/123456789/304258
ISSN: 2663-9939 (Print)
2706-9060 (Online)
Licence: info:eu-repo/semantics/openAccess
Appears in Collections:2023. Взаимодействие излучений с твердым телом

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
500-503.pdf598,86 kBAdobe PDFView/Open
Show full item record Google Scholar



Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.