Logo BSU

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/304258
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorЗанько, А. И.
dc.contributor.authorКотов, Д. А.
dc.contributor.authorКолос, В. В.
dc.contributor.authorЛогунов, К. Т.
dc.contributor.authorЛеонович, Н. В.
dc.date.accessioned2023-11-03T13:27:43Z-
dc.date.available2023-11-03T13:27:43Z-
dc.date.issued2023
dc.identifier.citationВзаимодействие излучений с твердым телом : материалы 15-й Междунар. конф., Минск, Беларусь, 26-29 сент. 2023 г. / Белорус, гос. ун-т ; редкол.: В. В. Углов (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2023. – С. 500-503.
dc.identifier.issn2663-9939 (Print)
dc.identifier.issn2706-9060 (Online)
dc.identifier.urihttps://elib.bsu.by/handle/123456789/304258-
dc.descriptionСекция 5. Методы, оборудование, плазменные и радиационные технологии = Section 5. Methods, equipment, plasma and radiation technologies
dc.description.abstractПредставлены результаты по получению термочувствительных пленок оксида ванадия (VOx) методом импульсного реактивного магнетронного распыления мишени из ванадия для их применения в микроболометрах. Установлены зависимости удельного электрического сопротивления, температурного коэффициента электрическиого сопротивления (ТКС) и изменения структуры пленок от процентного содержания кислорода (K(O2)) и частоты отрицательных импульсов при температуре подложки от 300 до 400 ℃. Установлено, что в общем случае, удельное сопротивление оксида ванадия, ТКС и размер зерна пленок VOx увеличиваются с увеличением частоты импульсов. Средние значения ТКС пленок VOx находились в диапазоне от 1.2 до 2.4 %/℃ при значениях удельного сопротивления 0.1-120 Ом·см. При более высоких температурах подложки как правило формируются пленки VOx с меньшим удельным сопротивлением. Однако ТКС при этом имеет более сложный характер зависимости, но в общем виде сохраняется принцип более высоких ТКС при более высоких удельных сопротивлениях. Повышение частоты отрицательных импульсов приводит к увеличению удельного сопротивления и размера зерен в пленках VOx
dc.language.isoru
dc.publisherМинск : БГУ
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccess
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
dc.titleИмпульсное реактивное магнетронное напыление термочувствительных пленок оксида ванадия
dc.title.alternativePulsed reactive magnetron sputtering of thermosensitive vanadium oxide films / Andrei Zanka, Dmitriy Kotov, Vladimir Kolos, Konstantin Logunov, Nikita Leonovich
dc.typeconference paper
dc.description.alternativeThe results of obtaining thermosensitive vanadium oxide (VOx) films by pulsed reactive magnetron sputtering from a vanadium target for their use in microbolometers are presented. The dependences of the electrical resistivity, the temperature coefficient of electrical resistance (TCR) and changes in the structure of films on the percentage of oxygen (K(O2)) and the frequency of negative pulses at the substrate temperature from 300 to 400 ℃ are established. The resistivity of vanadium oxide, TCR and the grain size of VOx films increases with increasing pulse frequency. The average values of the TCR of VOx films were in the range from 1.2 to 2.4%/℃ at resistivity values of 0.1-120 Ohms·cm. At higher temperatures of the substrate, VOx films with lower resistivity are usually formed. At the same time, the TCR has a more complex nature of dependence, but in general the principle of higher TCR at higher resistivity remains. An increase in the frequency of negative pulses leads to an increase in the resistivity and grain size in VOx films
Располагается в коллекциях:2023. Взаимодействие излучений с твердым телом

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
500-503.pdf598,86 kBAdobe PDFОткрыть
Показать базовое описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.