Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/304232| Заглавие документа: | Исследование свойств пленки на основе Mо на подложке Si для создания тонкопленочного ИК-излучателя |
| Другое заглавие: | Investigation of the properties of Mo-based film on Si substrate for prepare of thin-film IR emitter / O.M. Mikhalkovich, S.M. Baraishuk, T.M. Tkachenko |
| Авторы: | Михалкович, О. М. Барайшук, С. М. Ткаченко, Т. М. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2023 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Взаимодействие излучений с твердым телом : материалы 15-й Междунар. конф., Минск, Беларусь, 26-29 сент. 2023 г. / Белорус, гос. ун-т ; редкол.: В. В. Углов (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2023. – С. 414-416. |
| Аннотация: | В работе представлены исследования композиционного состава, топографии поверхности и удельного сопротивления структур пленка на основе Мо/кремний изготовленных комбинацией различных методов (осаждение покрытий ассистированное собственными ионами (ОПАСИ) и магнетронного распыления) и режимов нанесения. Конструкции и состав полученных систем делают возможным их применение в качестве тонкопленочных ИК-излучателей на основе MoSi2 крайне важных, при создании оптических газоанализаторов, построенных на принципе бездисперсионной ИК спектроскопии. Установлено, что получаемая методом ОПАСИ Mo пленка содержит атомы кремния, углерода, кислорода и водорода. Показано, что получаемое покрытие достаточно гетерогенно, с достаточно низким удельным сопротивлением и при соответствующей толщине может быть использовано в качестве источника ИК излучения |
| Аннотация (на другом языке): | In this paper a composite structure, surface topography and resistivity of Mo film/silicon structures prepared by combination of various methods (self-ion-assisted deposition (SIAD) of coating and magnetron sputtering) and deposition modes are discussed. Rutherford backscattering of He+ ions and computer program RUMP were applied to investigate a composition of surface. Atomic Force Microscopy surface observations were used to investigate the topography of modified surfaces. Self-ion-assisted deposits on silicon were prepared using 5 kV ions irradiation during the deposition molybdenum neutral fraction generated from vacuum arc plasma. The deposition of the covering has occurred at the vacuum in the working chamber ~10 –2 Pa. The exposition time varied from 1 to 12 hours. The density of ionic current at the deposition of the covering has changed in the range of 3 to 5 µA/cm2. It is established, that coatings composition includes atoms of the molybdenum (average 7 at. %), atoms of silicon from the substrate (average 4.5 at. %), atoms of technological impurity hydrogen (5-10 at. %), carbon (50-55 at. %) and oxygen (25- 30 at. %). It has been determined that the penetration of metal atoms into the interior of the sample occurs as a result of radiation-stimulated diffusion, of silicon atoms due to interdiffusion. It is shown that the resulting coating is sufficiently heterogeneous, with a sufficiently low resistivity and, with an appropriate thickness, can be used as an IR emitter |
| Доп. сведения: | Секция 4. Наноматериалы: формирование и свойства при воздействии излучений = Section 4. Nanomaterials: formation and properties under the influence of radiation |
| URI документа: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/304232 |
| ISSN: | 2663-9939 (Print) 2706-9060 (Online) |
| Финансовая поддержка: | Работа выполнена при частичной финансовой поддержке Министерства образования Республики Беларусь № ГР 20211394 и № ГР 20211250. |
| Лицензия: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Располагается в коллекциях: | 2023. Взаимодействие излучений с твердым телом |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 414-416.pdf | 477,09 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.