Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/302434| Заглавие документа: | Образование фиксированного заряда в SiO2, полученным пирогенным окислением кремния |
| Авторы: | Пилипенко, В. А. Омельченко, А. А. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2023 |
| Библиографическое описание источника: | Прикладные проблемы оптики, информатики, радиофизики и физики конденсированного состояния : материалы VII Междунар. науч.-практ. конференции, посвященной 120-летию со дня рождения академика Антона Никифоровича Севченко, 18–19 мая 2023 г., Минск / НИУ «Ин-т приклад. физ. проблем им. А. Н. Севченко» БГУ ; [редкол.: Ю. И. Дудчик (гл. ред.), И. М. Цикман, И. Н. Кольчевская]. – Минск, 2023. – С. 73-75. |
| Аннотация: | Приведены результаты исследования влияния твердофазной рекристаллизацией механически нарушенного слоя кремния с применением быстрой термообработки на формирование фиксированного заряда в SiO2 при пирогенном окислении кремния. Показано, что это приводит к уменьшению поверхностного потенциала по площади пластин и позволяет уменьшить остаточный фиксированный заряд в двуокиси кремния в полтора раза. Снижение поверхностного потенциала по площади пластин указывает на улучшения свойств границы раздела кремний-двуокись кремния, а снижение фиксированного заряда говорит о повышении однородности микроструктуры поверхностного слоя двуокиси кремния, образующегося за счет механически нарушенного слоя на рабочей стороне пластины |
| Доп. сведения: | Секция 1. Прикладные проблемы оптики и спектроскопии |
| URI документа: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/302434 |
| Лицензия: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Номер, дата депонирования: | №007528082023, Деп. в БГУ 28.08.2023 |
| Располагается в коллекциях: | 2023. Прикладные проблемы оптики, информатики, радиофизики и физики конденсированного состояния |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.